BSM100GAR120DN2 Infineon Technologies, BSM100GAR120DN2 Datasheet
BSM100GAR120DN2
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BSM 100 GAR 120 DN2 IGBT Power Module • Single switch with chopper diode at collector • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 100 GAR 120 DN2 1200V 150A Maximum Ratings Parameter Collector-emitter ...
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BSM 100 GAR 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage 100 ...
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BSM 100 GAR 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 6.8 Gon Rise time V = 600 V, ...
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BSM 100 GAR 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Chopper Diode Chopper diode forward voltage I = 150 150 ...
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IGBT-Module IGBT-Modules GAL type GAR type Update of Drawing Sep-21-98 Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram PIN 6 and 7 GAL type only PIN 4 and 5 GAR type only ...
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... Gehäuse spezifische Werte Housing specific values Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip Gehäusemaße C-Serie Package outline C-series typ sCE T =25°C R 0,7 C CC‘+EE‘ Appendix C-series nH m Appendix_C-Serie_BSM100GAR120DN2 2001-09-20 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...