D650S14T QR Infineon Technologies, D650S14T QR Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: D650S14T QR
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of D650S14T QR

• Vrrm (max): 1,200.0 - 1,400.0 V
• Ifsm (max): 10,100.0 A
• Ifavm/tc: 650/96 (180 ° el sin)
• Housing: Dia 58mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Fast Rectifier Diodes / SCR Diode Discs

IFBIP D AEC / 2009-03-16, H.Sandmann
S
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Gewicht
weight
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
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Schnelle Diode
Fast Diode
Datenblatt / Data sheet
f = 50 Hz
D650S
Kühlfläche /cooling surface
beidseitig / two sided, Θ = 180° sin
beidseitig / two sided, DC
Anode / anode, Θ = 180° sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Θ = 180° sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
A 15/09
R
R
T
T
T
F
G
vj max
c op
stg
thJC
thCH
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
-40...+150
-40...+150
6…14,5
Seite 3
page 3
0,048
0,045
0,085
0,082
0,103
0,100
0,005
0,010
270
150 °C
25 mm
50 m/s²
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
kN
g
2/6