MG-7010SA EPSON Electronics, MG-7010SA Datasheet

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MG-7010SA

Manufacturer Part Number

MG-7010SA

Description

Manufacturer

EPSON Electronics

Datasheet

1.MG-7010SA.pdf (1 pages)

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■外形寸法図

■仕様（特性）

■出力周波数

※モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合がありますが、

特性に影響はありません。

PLL選択出力水晶発振器

電源電圧

温度範囲

MG-7010SA

製品型番（２ページを参照）

Q33M11SAxxxxx00

周波数選択

●

●

●

●

出力ディセーブル時電流

15周波数より任意の１周波数を選択出力可能

高密度実装対応、リフロー可能なSMD

スタンバイとアウトプットイネーブル機能により出力を制御可能

CMOS ICによる低消費電流

周波数切り替え時間

“H”レベル出力電圧

“ L”レベル出力電圧

“H”レベル入力電圧

“ L”レベル入力電圧

スタンバイ時電流

S3

S2

S1

S0

デューティ

出力周波数範囲

周波数安定度

消費電流

出力負荷条件

項目

経時変化

耐衝撃性

出力上昇時間

出力下降時間

発振開始時間

#14

#1

M 70 10 C

E

最大供給電圧

動作電源

保存温度

動作温度

0.35

10.1±0.2

1.27

100.0 33.33

935 6A

0

0

0

0

#8

#7

0

0

0

1

V

記号

f / f

DD

T

T

t

30.0

V

t

S.R.

V

W

V

t

t

V

l

I

C

V

I

OSC

fo

- GND

TLH

THL

STG

OPR

OP

f

t

OE

ST

0

0

1

0

OH

ft

DD

OL

a

IH

IL

/ t

L

O

0.6

120.0

0

0

1

1

25.0

0

0

0

1

（単位：mm）

出力周波数（MHz）

20.0000 MHz∼120.0000 MHz.

20.0000 MHz∼80.0000 MHz.

20.0

仕様

0

1

0

1

±5

-55 ˚C∼+100 ˚C

-20 ˚C∼+70 ˚C

V

±20

-0.5 V∼+7.0 V

Ｃ：±100

2.7 V∼5.5 V

DD

×

40 %∼60 %

4.0 ns Max.

4.0 ns Max.

10 ms Max.

10 ms Max.

25 pF Max.

0.8 V Max.

45 mA Max.

25 mA Max.

0.4 V Max.

2.0 V Min.

15 pF Max.

10 µA Max.

10

- 0.5 V Min.

×

70.0

0

1

1

0

-6

10

/ 年 Max.

-6

×

Max.

■端子接続表

10

80.0

端子番号

0

-6

1

1

1

3,9,10,

11,12

13

14

４

1

2

5

6

7

8

75.0

1

0

0

0

端子記号

GND

OUT

N.C

OE

V

ST

S3

S0

S1

S2

66.66

DD

1

0

0

1

OE=“H” → 出力、“L” → “Hインピーダンス”

60.0

0

1

1

0

ST=“H” → 出力、“L”→“Lレベル”

29400 m/s

Ta=+25 ˚C, V

V

-20 ˚C∼+70 ˚C,V

DD

60.0

Ｓ0,Ｓ1,S2,Ｓ3 端子入力変更時

アウトプットイネーブル選択

V

=2.7 V∼4.5 Vまたは,f

1

0

1

1

l

硬木上750 mm

OH

l

OL

DD

V

2

=-16 mA （V

機能

20 %→ 80 %V

80 %→ 20 %V

=16 mA （V

OE=GND,f

=4.5 V∼5.5 V,f

DD

×

無負荷時,f

スタンバイ選択

条件

=4.5 V時のtを0とする

V

V

0.3 ms

内部接続無し

50.0

周波数選択3

周波数選択0

周波数選択1

周波数選択2

DD

DD

単品での保存

1

1

0

0

GND端子

1.4 Vレベル

電源端子

出力端子

ST,OE端子

ST,OE端子

DD

=4.5 V∼5.5 V

=2.7 V∼5.5 V

ST=GND

＝5.0 V / 3.3 V, 初年度

×

0

0

Crystal oscillator

1/2 Sine Wave

45.0

DD

DD

=120 MHz

=120 MHz

DD

×

1

1

0

1

=5±0.5 V）

=2.7 V∼5.5 V

=5±0.5 V）

DD

DD

3回または

0

≦80 MHz

レベル

レベル

0

＞80 MHz

90.0

原寸大

1

1

1

0

×

3方向

40.0

1

1

1

1

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