sch2822 Sanyo Semiconductor Corporation, sch2822 Datasheet - Page 3
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sch2822
Manufacturer Part Number
sch2822
Description
Mosfet P-channel Silicon Mosfet Sbd Schottky Barrier Diode
Manufacturer
Sanyo Semiconductor Corporation
Datasheet
1.SCH2822.pdf
(6 pages)
Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
P.G
--4V
0V
PW=10µs
D.C.≤1%
1000
--1.0
--0.9
--0.8
--0.7
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
V IN
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
0
0
I D = --0.3A
--0.1
V IN
50Ω
G
--0.2
--2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--0.5A
--0.3
V DD = --10V
R DS (on) -- V GS
D
--0.4
I D -- V DS
S
--4
I D = --0.5A
R L =20Ω
SCH2822
--0.5
V OUT
--0.6
--6
--0.7
--0.8
--8
[MOSFET]
[MOSFET]
Ta=25 ° C
--0.9
IT03501
IT03503
SCH2822
--1.0
--10
t rr Test Circuit
[SBD]
Duty≤10%
10µs
1000
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
50Ω
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
--60
0
V DS = --10V
--40
--5V
--0.5
--20
100Ω
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
0
--1.0
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
10Ω
40
--1.5
60
80
--2.0
100
No. A0668-3/6
t rr
120
[MOSFET]
[MOSFET]
--2.5
140
IT03502
IT03504
--3.0
160