6di100a-050 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 6di100a-050 Datasheet

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6di100a-050

Manufacturer Part Number
6di100a-050
Description
Power Transistor Module
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
6DI100A-050
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
24
Part Number:
6DI100A-050
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
300
Part Number:
6DI100A-050
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Part Number:
6DI100A-050
Quantity:
50
Part Number:
6di100a-050ELX
Manufacturer:
SEMIKRON
Quantity:
560
6DI100A-050
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧      AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
逆回復時間
Item
hFE
hFE が高い 
hFE
hFE
hFE
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 Insulated Type
絶縁形 
絶縁形 
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード内蔵 
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
ACモータ
ACモータ
エアコン
エアコン          Air Conditioners
エアコン
ACモータ
ACモータ
ACモータ制御 
エアコン
エアコン
熱 抵 抗
電気的特性
電気的特性
Item
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
電気的特性
電気的特性
電気的特性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
用途
用途
用途: : : : : Applications
用途
用途
特長
特長
特長: : : : : Features
特長
特長
が高い 
が高い 
が高い High DC Current Gain
が高い 
制御 
制御 
制御 
制御 AC Motor Controls
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
 DC
DC
D C
six Transistors
1ms
1ms
one Transistor
内蔵 
内蔵 
内蔵 
内蔵 Including Eree Wheeling Diode
Symbol
V
V
V
V
I
I
-I
I
I
P
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminals*2
R
R
R
C
B
BP
CP
Symbol
C
C
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
t
CEO(SUS)
EBO
CBO
CEO
CBO
EBO
on
stg
f
rr
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
(100A)
c
=25°C unless otherwise specified)
Rating
-40 to +125
With Thermal Compound
Transistor
Diode
Test Conditions
I
I
I
I
I
V
V
-I
I
I
I
I
I
-Ic=100A,V
CBO
CEO
C
C
EBO
C
C
C
B1
B2
Test Conditions
C
CBO
EBO
+150
2500
=100A I
= 1A
= 100A, I
= 100A, Pw=50 µ s
= 100A, V
600
600
450
100
200
100
400
450
= 100A
= +2.5A, Duty<=2%
= -2.5A
=300mA
12
= 1mA
= 1mA
6
6
3.5
1.7
= 600V
= 6V
-
B2
B
BE
=-2.5A V
CE
= 2.5A
=-6V, -di/dt=100A/ µ s
= 5V
Unit
W
W
°C
°C
N・m
N・m
EB
V
V
V
V
A
A
A
A
A
g
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
=6V
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
*2:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
UL
UL
UL
CASE
CASE
UL
UL
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
Min.
Min.
450
600
600
450
80
2.5to3.0N・m[25to30kgf・cm](M5)
1.4to1.6N・m[14to16kgf・cm](M4)
6
M603
M603
M603
M603
M603
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
Typ.
Typ.
0.05
-
Max. Units
300
Max.
15.0
0.85
0.31
1.0
2.0
2.0
2.5
3.0
4.0
0.6
Unit:mm
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
µs
1

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