TT200F13KFC Infineon Technologies, TT200F13KFC Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: TT200F13KFC
• Description: Discrete Semiconductor Modules 1300V 410A
• Manufacturer: Infineon Technologies
• Type: Discrete Semiconductor Moduler

Specifications of TT200F13KFC

• Output Current: 410 A
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant

i
[A]
i
[A]
i
[A]
TM
TM
TM
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
8
4
2
8
6
4
2
8
4
2
8
6
4
2
8
4
2
8
6
4
2
4
3
2
4
3
2
4
3
2
4
TT 200 F5/2
TT 200 F4/1
TT 200 F6/3
Bild / Fig. 1, 2, 3
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,
der angegebenen Gehäusetemperatur t
Vorwärts-Sperrspannung V
Freiwerdezeit t
Spannungssteilheit dv
Ausschaltverlustleistung:
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature t
forward off-state voltage v
circuit commutated turn-off time t
rate of rise of voltage dv
Turn-of losses:
- taken into account for operation at f
- not taken into account for operation at f
Parameter: Wiederholfrequenz f
i
und Anstieg auf v
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv
Anstieg auf V
and rise up to v
operation with inverse paralleled diode or dv
v
RM
t
6
p
50 V.
T= 1 _
i
TM
f
10
0
Repetition rate f
5
5
5
2
q
RM
gemäß 5. Kennbuchstaben,
RM
RM
3
3
50 V.
3
2
D
0.67 V
/dt gemäß 6. Kennbuchstaben.
D
0,67 V
2
2
2
/dt according to 6th code letter.
DM
DM
0
RRM
[kHz]
t
RRM;
4
0,67 V
0
0,67 V
q
;
[kHz]
according to 5th code letter,
1
1
1
0
6
0
= 50 Hz...0,4 kHz für dv
DRM
= 50 Hz to 0.4 kHz for dv
DRM
C
Steuergenerator/Pulse generator:
i
8
0
1 kHz. Diese Kurven gelten
G
,
,
10
= 1 A, t
R
C
;
1 kHz. But the curves are valid for
R
3
RC-Glied/RC network:
R
C
0,4
/dt
0,4
0,4
[ ]
a
= 1µs
100 V/µs and rise up to
2
0,02 . v
0,22µF
0,25
0,25
C,
f
f
f
t
0,25
t
t
R
0
0
0
C
C
C
/dt
[
= 100°C
[
[
= 80°C
= 60°C
kHz
kH z
kH z
t
p
R
100 V/µs und
DM
4
/dt
[µs]
]
]
]
R
/dt
[
0,1
0,1
0,1
V
]
6
500 V/µs
500V/µs
0 , 0
5
0 , 0
5
0 , 0
5
8
10
4
i
i
[ A]
[A]
[A]
i
TM
TM
TM
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
1 0
8
4
3
2
8
6
4
8
4
3
2
8
6
4
8
4
3
2
8
6
4
3
2
3
2
3
2
5
TT 200 F14/5
TT 200 F13/4
TT 200 F15/6
Bild / Fig. 4, 5, 6
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit
für einen Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen
Gehäusetemperatur t
Vorwärts-Sperrspannung v
Freiwerdezeit t
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
_______ Betrieb mit antiparalleler Diode oder
_ _ _ _ _ dv
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature t
forward off-state voltage v
circuit commutated turn-off t
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
_______ Operation with inverse paralleled diod or
_ _ _ _ _ dv
Parameter: Wiederholfrequenz f
i
6
+di/dt
T _
2
i
TM
dv
dv
T= 1 _
8
f
R
R
R
R
0
Repetition rate f
-di
/dt
/dt
/dt
/dt
10
T
q
/dt
gemäß 5. Kennbuchstabe,
1
100 V/µs bei Anstieg auf v
600 V/µs rising up to v
600 V/µs und Anstieg auf v
100 V/µs rising up to v
C
;
2
DM
DM
q
0
[kHz]
according to 5th code letter,
t
0.67 V
0
0,67 V
5
[kHz]
3
DRM
DRM
Steuergenerator/Pulse generator:
i
RM
RM
G
4
,
= 1 A, t
,
R
C
= 0.67 V
RM
RM
50 V.
RC-Glied/RC network:
R
C
5
[ ]
= 0,67 V
50 V.
a
+ di
= 1µs
RRM
5
3
6
0,02 . v
0,33µF
T
C
/dt
,
.
RRM
[
TT 200 F
A/µs
8
f
f
f
.
t
t
t
DM
0
0
0
C
C
C
[
= 100°C
[
[
= 80°C
]
= 60°C
kHz
10
kH z
kHz
[
V
]
2
]
]
0,4
0,05
1
0 ,
4
2
1
3
5
2
]
3
0,4
0,05
1
0 ,
2
4
3
1
5
2
0,4
0,4
1
1
2
3
2
5
3
5