CY7C1470V25-200BZIT Cypress Semiconductor Corp, CY7C1470V25-200BZIT Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: CY7C1470V25-200BZIT
• Description: CY7C1470V25-200BZIT
• Manufacturer: Cypress Semiconductor Corp

Specifications of CY7C1470V25-200BZIT

• Format - Memory: RAM
• Memory Type: SRAM - Synchronous
• Memory Size: 72M (2M x 36)
• Speed: 200MHz
• Interface: Parallel
• Voltage - Supply: 2.375 V ~ 2.625 V
• Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 165-LFBGA
• Lead Free Status / RoHS Status: Contains lead / RoHS non-compliant

Pin Configurations
Pin Definitions
Document Number: 38-05290 Rev. *L
A0
A1
A
BW
BW
BW
BW
BW
BW
BW
BW
WE
Pin Name
a
e
b
c
d
f
g
h
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
W
synchronous
synchronous
synchronous
I/O Type
DQPg
DQPd
Input-
Input-
Input-
DQg
DQg
DQg
DQg
DQc
DQc
DQc
DQc
DQh
DQh
DQh
DQh
DQd
DQd
DQd
DQd
NC
1
DQPc
DQPh
(continued)
DQg
DQg
DQg
DQg
DQh
DQh
DQh
DQh
DQd
DQd
DQd
DQd
DQc
DQc
DQc
DQc
NC
2
Address inputs used to select one of the address locations. Sampled at the rising edge of
the CLK.
Byte write select inputs, active LOW. Qualified with WE to conduct writes to the SRAM.
Sampled on the rising edge of CLK. BW
BW
controls DQ
Write enable input, active LOW. Sampled on the rising edge of CLK if CEN is active LOW. This
signal must be asserted LOW to initiate a write sequence.
NC/144M
c
209-ball FBGA (14 × 22 × 1.76 mm) Pinout
BWS
BWS
controls DQ
V
V
V
V
V
V
TMS
CLK
V
V
V
V
V
V
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
A
A
3
SS
SS
SS
SS
SS
SS
c
h
f
and DQP
BWS
BWS
V
V
V
V
V
V
CE
V
V
V
V
TDI
NC
NC
NC
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
A
A
4
SS
SS
SS
SS
c
2
g
d
and DQP
CY7C1474V25 (1 M × 72)
NC/576M
f,
NC/1G
BW
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
NC
NC
A
5
A
A
A
DD
SS
DD
SS
DD
SS
DD
SS
DD
SS
DD
g
c
, BW
controls DQ
ADV/LD
MODE
CEN
CE
V
V
WE
OE
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
ZZ
A1
A0
d
6
A
DD
DD
controls DQ
1
Pin Description
a
controls DQ
g
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
NC
NC
NC
and DQP
7
A
A
A
A
A
DD
DD
DD
DD
DD
DD
SS
SS
SS
SS
SS
d
and DQP
BWS
BWS
V
V
V
V
V
V
TDO
CE
V
V
V
V
NC
NC
NC
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
g,
8
A
A
SS
SS
SS
SS
a
3
BW
and DQP
b
e
h
NC/288M
d
, BW
controls DQ
BWS
BWS
V
V
V
V
V
V
TCK
V
V
V
V
V
V
NC
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
DDQ
9
A
A
SS
SS
SS
SS
SS
SS
a
a
e
f
, BW
controls DQ
DQPa
DQPf
b
DQb
DQb
DQb
DQb
DQa
DQa
DQa
DQa
DQe
DQe
DQe
DQe
DQf
DQf
DQf
DQf
NC
10
controls DQ
h
and DQP
CY7C1470V25
CY7C1472V25
CY7C1474V25
e
DQPb
DQPe
DQb
DQb
DQb
DQb
DQa
DQa
DQa
DQa
DQe
DQe
DQe
DQe
DQf
DQf
DQf
DQf
NC
and DQP
11
h
b
.
and DQP
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e,
BW
b
,
f
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