TD250N Infineon Technologies, TD250N Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: TD250N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of TD250N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,200.0 - 1,800.0 V
• Itsm: 7,000.0 A
• Itavm/tc: 250/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: SCR Diode Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Bösterling
N
600
400
200
Netz-Thyristor-Modul
2000
1500
1000
0
500
0
0
0
0,10
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
0,05
0,08
0,04
0,10
0,12
0,15
0,20
0,30
0,60
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient R
0,06
0,25
0,40
20
0,08
20
0,03
0,06
40
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
0,02
40
Maximaler Strom bei W1C und W3C
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
0,05
T
A
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
[°C]
R
0,04
thCA
60
60
[°C/W]
R
T
thCA
Datenblatt / Data sheet
A
[°C]
[°C/W]
80
80
~
~
A4 /85
100
W 3C
100
~
~
W 1C
~
~
~
~
I
RMS
I
RMS
Parameter:
Parameter:
TT250N
120
120
0
0
100
100
200
200
300
300
I
RMS
RMS
RMS
I
RMS
[A]
tot
tot
[A]
Seite/page
400
400
thCA
thCA
500
500
9/12
600
600