D1050N Infineon Technologies, D1050N Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: D1050N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of D1050N

• Vrrm (max): 1,200.0 - 1,800.0 V
• Ifsm (max): 18,500.0 A
• Ifavm/tc: 1050/130 (180 ° el sin)
• Housing: Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic
• Features: Rectifier Diodes

N
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
Netz-Gleichrichterdiode
Erhöhung des Z
Kühlung / Cooling
kathodenseitig
cathode-sided
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
anodenseitig
anode-sided
Diagramme
Diagramme
Rectifier Diode
two-sided
beidseitig
Rise of Z
0
0,6
th DC
th DC
for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
0,8
∆Z
∆Z
∆Z
∆Z
∆Z
∆Z
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
th Θ rec
th Θ rec
th Θ rec
th Θ sin
th Θ sin
th Θ sin
Datenblatt / Data sheet
Durchlasskennlinie
Θ = 180°
Z
Z
0,00473
0,00272
0,00448
0,00334
0,00448
0,00334
th Θ rec
th Θ sin
1
∆Z
D1050N
th Θ rec
= Z
= Z
A 02/09
T
vj
th DC
th DC
= T
/ ∆Z
Θ = 120°
V
0,00817
0,00423
0,00759
0,00489
0,00759
0,00489
F
vj max
1,2
+ Z
+ Z
[V]
th Θ sin
th Θ rec
th Θ sin
0,01087
0,00629
0,00985
0,00693
0,00985
0,00693
Θ = 90°
1,4
F
= f(v
0,01493
0,00972
0,01292
0,01005
0,01292
0,01005
Θ = 60°
F
)
1,6
Seite/page
T
0,02245
0,01714
0,01725
0,01518
0,01725
0,01518
vj
Θ = 30°
= T
vj max
5/8
1,8