D452N Infineon Technologies, D452N Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: D452N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of D452N

• Vrrm (max): 1,200.0 - 1,800.0 V
• Ifsm (max): 10,800.0 A
• Ifavm/tc: 450/130 (180 ° el sin)
• Housing: Flansch flange FL54
• Features: Rectifier Diodes

Z
[°C/W]
[°C/W]
(th)JC
R
0,04
0,02
thJC
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0
0
30
10
D452N_3
D 452 N
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
D452N_2
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
-3
T
10
60
-2
90
10
-1
T
thJC
= f(t), DC
120
10
0
t [s]
[°el]
150
10
1
T
180
10
2
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
Pos. n
R
Q r
[ As]
n
thJC
thn
[s]
10
10
10
°C/W
=
3
4
2
n
n=1
0,1
max
D452N_7
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
t
Beschaltung / Snubber: C = 0,68 µF; R = 5,6
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
vj =
9
8
7
6
5
4
3
2
9
8
7
6
5
4
3
2
R
0,00059
0,000231
t
thn
vjmax
1
(1-EXP(-t/
; v
R
0,00531
0,00252
2
0,5 V
n
))
RRM
0,0056
0,0251
1
3
; V
RM
0,021
0,175
= 0,8 V
4
-di
RRM
0,0248
1,269
F
/dt [A/ s]
5
10
thJC
FM
for DC
r
0,0237
6,262
= f(-di
thJC
i
6
FM
F
für DC
[A]
/dt)
1600
800
7
100
100
400
200
50