D820N Infineon Technologies, D820N Datasheet
D820N
Specifications of D820N
Related parts for D820N
D820N Summary of contents
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... Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann D820N T = -25°C... max T = 100 ° °C, θ = 180°sin ° ...
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... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann D820N Mechanische Eigenschaften 14/10 Seite 3 ...
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... N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Maßbild Maßbild 1 IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann D820N 1: Anode Kathode/ A 14/10 Anode Cathode Seite/page 3/8 ...
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... Analytische Funktion / Analytical function: 0,10 0,09 0,08 0,07 0,06 0,05 0,04 0,03 0,02 0,01 0,00 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann D820N 0,00037 0,00485 0,00475 0,00030 0,00257 0,02040 0,00037 0,00491 0,00648 0,00030 0,00258 0,02450 0,00037 0,00505 0,00637 0,00030 0,00263 0,02770 ...
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... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann D820N ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00706 0,01217 0,00450 0,00687 0,00448 0,00759 0,00334 0,00489 0,00448 ...
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... Durchlassverlustleistung / On-state power loss P 180 160 140 120 100 200 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann D820N Durchlassverluste 400 600 I [A] FAV Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig 400 ...
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... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann D820N Qr Diagramm 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q =f(-di/dt ≤ 0,5 V ...
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... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann D820N A 14/10 Seite/page 8/8 ...