D2520N Infineon Technologies, D2520N Datasheet

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D2520N

Manufacturer Part Number
D2520N
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of D2520N

Vrrm (max)
2,200.0 V
Ifsm (max)
35,000.0 A
Ifavm/tc
2520/100 (180 ° el sin)
Housing
Disc dia 75mm height 26mm / Ceramic
Features
Rectifier Diodes
IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25
N
Netz-Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
Sperrstrom
reverse current
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
approved by: M.Leifeld
prepared by: C.Drilling
v
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
F
Rectifier Diode
=
A
+
B
i
F
+
600 A ≤ i
C
ln
i (
F
≤ 13000 A
F
+
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
1
)
+
D
i
F
D2520N
A 60/08
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
vj
C
C
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
= -40°C... T
= 100 °C
= 55 °C, θ = 180°sin, t
=25 °C, t
= T
= 25 °C, t
= T
= T
= T
= T
= T
= T
= T
date of publication:
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
, t
, i
, i
, v
t
P
P
P
F
F
P
= 10 ms
R
= 10 ms
= 10 ms
revision:
= 10.2kA
= 2kA
= 10 ms
vj max
= V
RRM
P
2008-11-25
= 10 ms
1.0
V
I
I
I
I
I
I²t
v
V
r
i
R
R
T
T
T
FRMSM
FAVM
FAVM
FRMS
FSM
R
T
F
vj max
c op
stg
RRM
(TO)
thJC
thCH
A=
B=
C=
D=
Vorläufige Daten
preliminary data
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
3,891E-01
6,013E-05
2,545E-02
5,110E-03
-40...+175 °C
-40...+175 °C
0,0220
0,0200
0,0397
0,0375
0,0453
0,0429
41000
35000
0,005
0,010
2200 V
4950 A
2520 A
3450 A
5420 A
8405
6125
1,75
0,93
0,73 V
175 °C
0,1 mΩ
75 mA
A
A
10³A²s
10³A²s
V
V
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
1/8

Related parts for D2520N

D2520N Summary of contents

Page 1

... Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature prepared by: C.Drilling approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25 D2520N T = -40°C... max T = 100 ° °C, θ = 180°sin =25 ° ...

Page 2

... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25 D2520N Mechanische Eigenschaften 60/08 Vorläufige Daten ...

Page 3

... N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode Maßbild Maßbild 1 IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25 D2520N 1: Anode Kathode/ A 60/08 Vorläufige Daten preliminary data Anode Cathode Seite/page 3/8 ...

Page 4

... Analytische Funktion / Analytical function: 0,050 0,040 0,030 0,020 0,010 0,000 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25 D2520N 0,0008 0,001 0,0025 0,00189 0,012 0,0038 0,00066 0,00291 0,0037 0,00138 0,00614 0,0765 ...

Page 5

... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25 D2520N ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° 0,00357 0,00613 0,002 0,00384 0,00298 0,0049 0,0022 0,00312 0,00324 ...

Page 6

... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25 D2520N Durchlassverluste 2000 3000 I [A] FAV Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig Parameter sin 180° rec 120° ...

Page 7

... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25 D2520N Qr Diagramm 10 di/dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q =f(-di/dt ≤ ...

Page 8

... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25 D2520N A 60/08 Vorläufige Daten preliminary data Seite/page ...

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