D251N Infineon Technologies, D251N Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: D251N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of D251N

• Vrrm (max): 1,200.0 - 2,000.0 V
• Ifsm (max): 5,300.0 A
• Ifavm/tc: 250/130 (180 ° el sin)
• Housing: SW27 M12 + FL36 Flansch flange
• Features: Rectifier Diodes

Z
[°C/W]
[°C/W]
(th)JC
R
0,04
0,03
0,02
thJC
0,06
0,05
0,01
0,20
0,18
0,16
0,14
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0
0
10 -3
D 251 N
30
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
D251N_3
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
D251N_2
T
10 -2
60
10 -1
90
T
thJC
= f(t), DC
10 0
120
t [s]
[°el]
10 1
150
T
1
10 2
180
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
Pos. n
R
Q r
[ As]
n
thJC
thn
[s]
°C/W
10
=
10
10
n
n=1
3
2
max
4
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
t
Beschaltung / Snubber: C = 0,47 µF; R = 8,2
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
0,1
vj =
D251N_7
R
9
8
7
6
5
4
3
2
9
8
7
6
5
4
3
2
0,0008
0,000161
thn
t
vjmax
1
(1-EXP(-t/
; v
R
0,00622
0,00171
0,5 V
2
n
))
RRM
0,0121
0,0171
1
3
; V
RM
0,00408
0,149
= 0,8 V
4
RRM
0,0624
0,263
-di
5
F
thJC
/dt [A/ s]
10
FM
for DC
r
0
0,946
= f(-di
,0283
thJC
6
i
FM
F
für DC
/dt)
[A]
0,0311
2,79
7
800
400
200
100
100
50
25