D1121SH Infineon Technologies, D1121SH Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: D1121SH
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of D1121SH

• Vrrm (max): 4,500.0 V
• Ifsm (max): 17,500.0 A
• Housing: Dia 100mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Fast Diodes / SCR Diode Discs / IGBT & IGCT Freewheeling Diodes

SH
Schnelle besch altungslose Diode
Gewic ht
weight
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junc tion to c ase
Übergangs-Wärmewi derstand
thermal resistance, cas e to heatsi nk
Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur
maxi mum junction temperature
Betriebs temperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigen schaften / Mech anical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, s ee annex
Si-Element mit Druc kkontakt
Si-pellet with press ure contac t
Anpress kraft
clampi ng force
Thermische Eigenschaften / Th ermal properties
Kriechstrec ke
creepage distance
Lufts trec ke
air distanc e
Feuchteklass e
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
Fast Hard Drive Diod e
Mechanische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
Thermische Eigenschaften
D1121SH
DIN 40040
f = 50 Hz
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided, θ = 180°sin
beids eitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / c athode, DC
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
R
T
T
T
G
F
v j max
c op
s tg
thJ C
thCH
Possible Data
Seite/page
Zieldaten
max.
max.
max.
max.
max.
max.
typ.
-40...+150 °C
76DSX45
0,00855
0...+140 °C
Seite 3
page 3
36...52
0,0075
0,0133
0,0172
0,0025
0,0050
1350 g
140 °C
33 mm
17 mm
50 m/s²
C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
kN
2/6