D921S Infineon Technologies, D921S Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: D921S
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of D921S

• Vrrm (max): 4,500.0 V
• Ifsm (max): 28,000.0 A
• Housing: Dia 100mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Fast Diodes / SCR Diode Discs / GTO Freewheeling Diodes

Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
critical repetitive rate of fall of on - state
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage
Durchlaßspannung / forward voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Sperrstrom / reverse current
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sanftheit
Softness
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Anpreßkraft /clamping force
Gewicht / weight
Luftstrecke / air distance
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Charakteristische Werte / Characteristic values
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
1)
1)
t
t
t
t
t
t
t
t
I
C
t
t
t
t
t
t
i
v
C = 0,3 µF; R = /C
i
v
C = 0,3 µF; R = /C
i
v
C = 0,3 µF; R = /C
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Anoden / anode
Kathode / cathode
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
DIN 40040
f = 50 Hz
vj
vj
C
C
vj
vj
vj
vj
FM
c
vj
vj
vj
vj
vj
FM
FM
FM
R
R
R
S
= -25°C ... +85°C
= 25°C, t
= 140°C, t
= 25°C, t
= 140°C, t
= -40°C...140°C
= +25°C...140°C
= 85°C
= 52°C
= 140°C, i
= 140°C
= 140°C
= 140°C, v
= 140°C, v
= 1000 V; D
= 1000 V; D
= 1000 V; D
= 0,3 µF, R
= 1000 A, -di
= 1000 A, -di
= 1000 A, -di
= 3000 A, V
p
p
p
p
= 10 ms, v
= 10 ms, v
F
= 10 ms, v
= 10 ms, v
R
R
S
= 2500 A
S
S
S
R
= 0,67 V
= V
= /C
F
F
F
= D291S45T
= D291S45T
= D291S45T
= 0,67 V
/dt = 250 A/µs
/dt = 250 A/µs
/dt = 250 A/µs
RRM
S
S
S
S
R
R
RRM
R
R
= 0V
= 0V
DRM
= 0V
= 0V
V
V
I
I
I
I²t
(-di
V
V
V
r
i
I
Q
SR
R
R
t
t
t
F
G
FRMSM
FAVM
FSM
R
RM
vj
c
stg
T
RRM
RSM
R(D)
F
(TO)
rr
thJC
thCK
max
op
F
/dt)
com
D 921 S 45 T
Seite / page 1
max. 0,003 K/W
max. 0,006 K/W
-40...+140 °C
-40...+150 °C
typ. 0,002 µAs
typ. 2600 V
max. 100 mA
max. 800 A
2650000 A²s
max 2,6 V
typ. 850 g
0,0125 K/W
0,0228 K/W
0,0277 K/W
27...45 kN
23000 A
4500 V
4600 V
2560 A
1380 A
1630 A
2800 µAs
0,48 m
500 A/µs
140 °C
1,4 V
20 mm
30 mm
50 m/s²
C
A
A²s
mA