MJW16212 ON Semiconductor, MJW16212 Datasheet

no-image

MJW16212

Manufacturer Part Number
MJW16212
Description
Npn Transistor Bipolar Power Deflection Transistor For High And Very High Resolution Monitors
Manufacturer
ON Semiconductor
Datasheet
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
NPN Bipolar Power Deflection Transistor
For High and Very High Resolution
Monitors
power transistor. It is specifically designed for use in horizontal
deflection circuits for 20 mm diameter neck, high and very high
resolution, full page, monochrome monitors.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
MAXIMUM RATINGS
April, 2001 – Rev.4
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Emitter–Base Voltage
RMS Isolation Voltage (2)
(for 1 sec, T
Rel. Humidity < 30%)
Collector Current — Continuous
Collector Current
Base Current — Continuous
Base Current
Maximum Repetitive Emitter–Base
Total Power Dissipation @ T
Total Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
The MJW16212 is a state–of–the–art SWITCHMODE
1500 Volt Collector–Emitter Breakdown Capability
Typical Dynamic Desaturation Specified (New Turn–Off Characteristic)
Application Specific State–of–the–Art Die Design
Fast Switching:
Low Saturation Voltage:
Low Collector–Emitter Leakage Current —
Drive Circuits —
High Emitter–Base Breakdown Capability For High Voltage Off
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
Avalanche Energy
Derated above T
200 ns Inductive Fall Time (Typ)
2000 ns Inductive Storage Time (Typ)
0.15 Volts at 5.5 Amps Collector Current and 2.5 A Base Drive
250 A Max at 1500 Volts — V
8.0 Volts (Min)
A
= 25_C,
— Pulsed (1)
— Pulsed (1)
C
Rating
= 25_C
@ T
C
C
= 25_C
= 100_C
t
Per Fig. 14
Per Fig. 15
CES
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
V
W (BER)
Symbol
T
CEO(sus)
V
V
V
J
I
I
ISOL
P
EBO
, T
CES
CM
BM
I
I
C
B
D
stg
1
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
bipolar
–55 to 125
Value
1500
1.49
650
150
8.0
5.0
0.2
10
15
10
39
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Watts
W/_C
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
mJ
_C
V
*ON Semiconductor Preferred Device
POWER TRANSISTOR
1500 VOLTS – V
50 AND 150 WATTS
Publication Order Number:
10 AMPERES
CASE 340K–01
TO–247AE
MJW16212/D
CES

Related parts for MJW16212

MJW16212 Summary of contents

Page 1

... NPN Bipolar Power Deflection Transistor For High and Very High Resolution Monitors The MJW16212 is a state–of–the–art SWITCHMODE power transistor specifically designed for use in horizontal deflection circuits for 20 mm diameter neck, high and very high resolution, full page, monochrome monitors. ...

Page 2

... Fall Time Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î (2) Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle v 2.0%. MJW16212 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...

Page 3

... Under these conditions the collector voltage must be held to a safe level at or below a specific value of collector current. This can be accomplished by several means such as active clamping, RC snubbing, load line shaping, etc. MJW16212 SAFE OPERATING AREA – 25_C ...

Page 4

... Table 1. RBSOA/V L coil (I Cpk ) adjusted to obtain I 1 C(pk) V (BR)CEO Volts CC *Tektronix *P–6042 or *Equivalent MJW16212 Test Circuit (BR)CEO(SUS) RBSOA L = 200 Volts CC R selected for desired Note: Adjust –V to obtain desired V BE(off) http://onsemi.com 4 at Point A. ...

Page 5

... Figure 4. Typical Collector–Emitter Saturation Region Figure 5. Typical Collector–Emitter Saturation Voltage Figure 8. Typical Capacitance http://onsemi.com MJW16212 Figure 6. Typical Emitter–Base Saturation Voltage Figure 7. Typical Transition Frequency 5 ...

Page 6

... T1: Ferroxcube Pot Core #1811 P3C8 Primary/Sec. Turns Ratio = 18:6 Gapped for MJW16212 DYNAMIC DESATURATIION drops. Roll off in the collector current ramp results in improper beam deflection and distortion of the image at the right edge of the screen. Design changes have been made in the structure of the SCANSWITCH series of devices which minimize the dynamic desaturation interval ...

Page 7

... Figure 9. Deflection Simulator Circuit Base Drive Waveform Figure 11. Typical Resistive Storage Time MJW16212 Figure 10. Definition of Dynamic Desaturation Measurement Figure 12. Typical Resistive Fall Time http://onsemi.com 7 ...

Page 8

... This high performance drive has two additional important advantages. First, the MJW16212 Table 3. Resistive Load Switching f Figure 13. Thermal Response configuration of T1 allows L ...

Page 9

... However, in order to positively ensure the package integrity of the fully isolated device, ON Semiconductor does not recommend . exceeding 10 in lbs of mounting torque under any mounting conditions. ** For more information about mounting power semiconductors see Application Note AN1040. MJW16212 Figure 15. Screw or Clip Mounting Position for Isolation Test Number 2 Figure 16b. Clip–Mounted Figure 16. Typical Mounting Techniques* http://onsemi ...

Page 10

... MJW16212 PACKAGE DIMENSIONS TO–247AE CASE 340K–01 ISSUE C –Q– –B– –Y– http://onsemi.com 10 –T– ...

Page 11

... Notes MJW16212 http://onsemi.com 11 ...

Page 12

... Email: ONlit–asia@hibbertco.com JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031 Phone: 81–3–5740–2700 Email: r14525@onsemi.com ON Semiconductor Website: http://onsemi.com For additional information, please contact your local Sales Representative. http://onsemi.com 12 MJW16212/D ...

Related keywords