BUD44D2 Freescale Semiconductor, Inc, BUD44D2 Datasheet

no-image

BUD44D2

Manufacturer Part Number
BUD44D2
Description
High Speed, High Gain Bipolar Npn Power Transistor With Integrated Collector-emitter Diode And Built-in Efficient Antisaturation Network
Manufacturer
Freescale Semiconductor, Inc
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BUD44D2
Manufacturer:
MOTOROLA/摩托罗拉
Quantity:
20 000
Part Number:
BUD44D2
Quantity:
2 700
Part Number:
BUD44D2-001
Manufacturer:
MOTOROLA/摩托罗拉
Quantity:
20 000
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Advance Information
High Speed, High Gain Bipolar
NPN Power Transistor with
Integrated Collector-Emitter
Diode and Built-in Efficient
Antisaturation Network
High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread ( 150 ns on storage time)
make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to
guarantee an h FE window.
Main features:
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
Designer’s and SWITCHMODE are trademarks of Motorola, Inc.
This document contains information on a new product. Specifications and information herein are subject to change without notice.
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Base Current — Continuous
Base Current
*Total Device Dissipation @ T C = 25 _ C
Operating and Storage Temperature
Thermal Resistance
Maximum Lead Temperature for Soldering
The BUD44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP).
It’s characteristics make it also suitable for PFC application.
Motorola, Inc. 1995
Low Base Drive Requirement
High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ I C = 100 mA
Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the
H2BIP Structure which Minimizes the Spread
Integrated Collector–Emitter Free Wheeling Diode
Fully Characterized and Guaranteed Dynamic V CE(sat)
“6 Sigma” Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads
*Derate above 25 C
— Junction to Case
— Junction to Ambient
Purposes: 1/8 from case for 5 seconds
— Peak (1)
Rating
— Peak (1)
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
10%.
Symbol
T J , T stg
V CEO
V CBO
V CES
V EBO
R JC
R JA
I CM
I BM
P D
T L
I C
I B
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
– 65 to 150
Value
71.4
400
700
700
260
0.2
12
25
2
5
1
2
5
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
W/ _ C
_ C/W
Watt
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_ C
_ C
POWER TRANSISTORS
BUD44D2
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
MINIMUM PAD SIZES
0.063
1.6
APPLICATIONS
CASE 369A–13
2 AMPERES
CASE 369–07
700 VOLTS
Order this document
25 WATTS
0.090
2.3
0.265
6.7
0.090
by BUD44D2/D
2.3
0.063
1.6
1

Related parts for BUD44D2

BUD44D2 Summary of contents

Page 1

... Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network The BUD44D2 is state–of–art High Speed High gain BIPolar transistor (H2BIP). High dynamic characteristics and lot to lot minimum spread ( 150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no need to guarantee window ...

Page 2

... BUD44D2 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...

Page 3

... 125 C Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î BUD44D2 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...

Page 4

... BUD44D2 100 125 – 0.001 0.01 0 COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt 400 200 BASE CURRENT (mA) Figure 3. Collector Saturation Region ...

Page 5

... Motorola Bipolar Power Transistor Device Data 0 0.001 0. COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 7B. Base–Emitter Saturation Region 125 C 0.1 1 0.01 REVERSE EMITTER–COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 8. Forward Diode Voltage BUD44D2 – 125 0 125 C 0 ...

Page 6

... BUD44D2 TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS 1000 C ib (pF) 100 REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 9. Capacitance 4000 3500 3000 2500 2000 1500 125 1000 COLLECTOR CURRENT (AMPS) Figure 11. Resistive Switch Time, t off 700 125 C ...

Page 7

... 300 V 2500 300 200 200 H 2000 1500 1000 500 2 2 Figure 20. Inductive Storage Time BUD44D2 125 0 FORCED GAIN 125 0.8 1 ...

Page 8

... BUD44D2 TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS V CE dyn 1 s dyn 90 TIME Figure 21. Dynamic Saturation Voltage Measurements clamp Figure 22. Inductive Switching Measurements V FRM unless otherwise specified ...

Page 9

... TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS 440 420 400 380 360 340 320 300 1000 0 Figure 24. Forward Recovery Time t fr BUD44D2 I C PEAK V CE PEAK Inductive Switching RBSOA L = 200 500 Volts Volts R B1 selected for ...

Page 10

... G 0.180 BSC 4.58 BSC H 0.034 0.040 0.87 1.01 J 0.018 0.023 0.46 0.58 K 0.102 0.114 2.60 2.89 L 0.090 BSC 2.29 BSC R 0.175 0.215 4.45 5.46 S 0.020 0.050 0.51 1.27 U 0.020 ––– 0.51 ––– V 0.030 0.050 0.77 1.27 Z 0.138 ––– 3.51 ––– STYLE 1: PIN 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR *BUD44D2/D* BUD44D2/D ...

Related keywords