MJB6488 ON Semiconductor, MJB6488 Datasheet

no-image

MJB6488

Manufacturer Part Number
MJB6488
Description
Complementary Silicon Plastic Power Transistors
Manufacturer
ON Semiconductor
Datasheet
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJB6488, MJB6491
Product Preview
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
applications.
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
This document contains information on a product under development. ON Semiconductor
reserves the right to change or discontinue this product without notice.
July, 2004 − Rev. P0
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Base Current
Total Power Dissipation @ T
Derate above 25 C
Total Power Dissipation @ T
Derate above 25 C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
. . . designed for use in general−purpose amplifier and switching
DC Current Gain Specified to 15 A −
Collector−Emitter Sustaining Voltage −
Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
ESD Ratings:
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004
h
V
FE
CEO(sus)
Characteristic
= 20 − 150 @ I
= 5.0 (Min) @ I
Rating
Machine Model; C, >400 V
Human Body Model; 3B, >8000 V,
= 80 Vdc (Min)
A
C
= 25 C
= 25 C
C
C
= 5.0 Adc
= 15 Adc
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
R
R
J
V
V
P
P
CEO
, T
I
I
qJC
qJA
CB
EB
C
B
D
D
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
– 65 to
Value
0.014
+ 150
Max
1.67
5.0
5.0
0.6
1.8
80
90
15
75
70
1
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
W/ C
W/ C
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
C/W
C/W
W
W
C
MJB6488
MJB6488T4
MJB6491
MJB6491T4
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
COMPLEMENTARY SILICON
Device
POWER TRANSISTORS
CASE 418B
ORDERING INFORMATION
STYLE 1
xx
A
Y
WW
D
2
PAK
http://onsemi.com
80 V, 75 W
Package
D
D
D
D
= 88 or 91
= Assembly Location
= Year
= Work Week
2
2
2
2
PAK
PAK
PAK
PAK
15 A
Publication Order Number:
800 / Tape & Reel
800 / Tape & Reel
MARKING
DIAGRAM
50 Units / Rail
50 Units / Rail
Shipping
JB64xx
AYWW
MJB6488/D

Related parts for MJB6488

MJB6488 Summary of contents

Page 1

... MJB6488, MJB6491 Product Preview Complementary Silicon Plastic Power Transistors . . . designed for use in general−purpose amplifier and switching applications. DC Current Gain Specified − − 150 @ I = 5.0 Adc 5.0 (Min Adc C Collector−Emitter Sustaining Voltage − Vdc (Min) CEO(sus) Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in ESD Ratings: Human Body Model ...

Page 2

... C B 100 0.2 0.5 1.0 2 COLLECTOR CURRENT (A) C Figure 1. Turn−Off Time 4.0 3.0 2.0 1.0 MJB6488, MJB6491 ( unless otherwise noted) C Characteristic (I = 200 mAdc 200 mAdc Vdc Vdc EB(off Vdc 1.5 Vdc EB(off 5.0 Vdc, I ...

Page 3

... SECOND BREAKDOWN LIMITED BONDING WIRE LIMITED 0.5 THERMALLY LIMITED @ CURVES APPLY BELOW RATED V CEO 0.2 0.1 2.0 4 COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V) CE Figure 7. Active−Region Safe Operating Area MJB6488, MJB6491 V CC 1000 + 30 V 500 R C SCOPE 200 100 ...

Page 4

... NPN − MJB6488 500 T = 150 C J 200 25 C 100 − 2 5.0 0.2 0.5 1.0 2 COLLECTOR CURRENT (A) C 2.0 1.8 1.6 1.4 1 1.0 A 1.0 C 0.8 4.0 A 0.6 0.4 0 100 200 I , BASE CURRENT (mA 2.4 J 2.0 1.6 1 BE(sat CE(sat 0.2 0.5 1.0 2 COLLECTOR CURRENT (AMP) ...

Page 5

... −T− SEATING PLANE 0.13 (0.005) VARIABLE CONFIGURATION ZONE VIEW W−W VIEW W−W 1 10.66 0.42 MJB6488, MJB6491 PACKAGE DIMENSIONS 2 D PAK CASE 418B−04 ISSUE VIEW W−W ...

Page 6

... P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Email: orderlit@onsemi.com MJB6488, MJB6491 N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2− ...

Related keywords