tpc8120 TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tpc8120 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: tpc8120
• Description: ???????????? ????P????MOS? (U-MOS?)
• Manufacturer: TOSHIBA Semiconductor CORPORATION

電気的特性
ソース･ドレイン間の定格と電気的特性
注7 ゲート・ソース間に正バイアスを印加した場合, V(BR)DSXモードとなり, ドレイン・ソース間の耐圧が低下します
ゲ
ド
ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 降 伏 電 圧
ゲ
ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 オ ン 抵 抗
順 方 向 伝 達 ア ド ミ タ ン ス
入
帰
出
ス イ ッ チ ン グ 時 間
ゲ
ゲ ー ト ･ ソ ー ス 間 電 荷 量
ゲ ー ト ･ ド レ イ ン 間 電 荷 量
ド レ イ ン 逆 電 流 パ ル ス
順 方 向 電 圧
のでご注意ください。
レ
ー
ー
ー
イ
ト
ト
ト
力
還
力
(Ta = 25°C)
項
項
ン
し
入
漏
し
き
( ダ イ オ ー ド )
上
タ ー ン オ ン 時 間
下
タ ー ン オ フ 時 間
力
ゃ
い
目
目
れ
容
容
容
昇
降
電
断
値
電
時
時
荷
電
電
(注 1)
流
流
圧
量
量
量
間
間
量
1
V
V
R
記 号
(BR) DSS
(BR) DSX
記 号
DS (ON)
V
Q
I
I
C
I
C
|Y
C
Q
GSS
DSS
DRP
V
t
t
Q
DSF
oss
on
off
gs1
t
t
iss
rss
gd
th
fs
r
f
g
|
(Ta = 25°C)
V
V
I
I
V
V
V
V
V
Duty ≦1%, t
V
I
I
D
D
D
DR
V
GS
DS
DS
GS
GS
DS
DS
DD
GS
= −10 mA, V
= −10 mA, V
= −18 A
3
= −18 A, V
= ±20 V, V
= −30 V, V
= −10 V, I
= −4.5 V, I
= −10 V, I
= −10 V, I
= −10 V, V
−10 V
≒−24 V, V
0 V
測 定 条 件
測 定 条 件
w
D
D
D
= 10 μs
GS
GS
GS
D
DS
GS
GS
GS
= −1 mA
= −9 A
= −9 A
⎯
= −9 A
= 0 V
= 0 V
= 10 V (注 7)
= 0 V
= 0 V
= 0 V, f = 1 MHz
= −10 V,
V
I
D
DD
= −9 A
≒−15 V
出力
最小
最小
−0.8
−30
−21
40
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
標準
7420
1180
1440
標準
275
790
180
3.3
2.6
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
80
10
18
20
40
2009-07-07
TPC8120
最大
−72
±100
最大
1.2
−2.0
−10
4.2
3.2
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
単位
単位
mΩ
nA
μA
nC
pF
ns
A
V
V
V
S