A117AJ-00 HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD], A117AJ-00 Datasheet

A117AJ-00

Manufacturer Part Number

A117AJ-00

Description

PNP SILICON TRANSISTOR

Manufacturer

HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

Datasheet

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█ 芯片简介

█ 极限值

█ 电参数

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：A117AJ-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：1170×1170µm

焊位尺寸：B 极 272×192µm

电极金属：铝

背面金属：金

典型封装：2SB649A，HS649A，H649A

参数符号

stg

CBO

CEO

EBO

——结温…………………………………………… 150℃

——集电极电流………………………………………-1.5A

——集电极功率耗散（T

——贮存温度…………………………………-55~150℃

CBO

CEO

EBO

(sat)

——集电极—基极电压…………………………-180V

——集电极—发射极电压………………………-160V

——发射极—基极电压……………………………-5V

汕头华汕电子器件有限公司

（T

集电极—基极击穿电压

集电极—发射极击穿电压

发射极—基极击穿电压

集电极—基极截止电流

直流电流增益

集电极—发射极饱和电压

基极—发射极电压

特征频率

共基极输出电容

=25℃）（TO-126、TO-126ML）

符号说明

=25℃）………………… 20W

=25℃）……………………1W

；E 极 226×298µm

最小值典型值最大值单位

-180

-160

-5

PNP

649A 晶体管芯片说明书

140

S I L I C O N

-1.5

300

-10

-1

█ 管芯示意图

MHz

µA

T R A N S I S T O R

=-1mA，I

=-10mA，I

=-500mA，I

=-5V，I

=-160V，I

=-10V,I

测试条件

=0，f=1MHz

=-150mA

=-500mA

=-150mA

=-50mA

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