SFH 483 L/M E7800 OSRAM Opto Semiconductors Inc, SFH 483 L/M E7800 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: SFH 483 L/M E7800
• Description: EMITTER IR 880NM TO-18
• Manufacturer: OSRAM Opto Semiconductors Inc

Specifications of SFH 483 L/M E7800

• Wavelength: 880nm
• Package / Case: TO-18
• Current - Dc Forward (if): 200mA
• Radiant Intensity (ie) Min @ If: 2mW/sr @ 100mA
• Voltage - Forward (vf) Typ: 1.5V
• Viewing Angle: 46°
• Orientation: Top View
• Mounting Type: Through Hole
• Radiant Intensity: 2 mW/sr
• Maximum Forward Current: 200 mA
• Maximum Power Dissipation: 470 mW
• Maximum Operating Temperature: + 80 C
• Minimum Operating Temperature: - 40 C
• Lens Shape: Circular
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: Q62703Q4755

Strahlstärke I
Radiant Intensity I
Bezeichnung
Parameter
Strahlstärke
Radiant intensity
I
1)
1)
2007-12-07
F
= 100 mA,
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 1,1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird sichergestellt, dass bei
der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende, Messverfahren ergibt sich für den Anwender eine
besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely the radiation in
axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
1)
t
p
e
= 20 ms
in Achsrichtung (gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr)
e
in Axial Direction (at a solid angle of Ω = 0.01 sr)
Symbol
I
I
e min
e max
SFH 483-L E7800
1
2
4
Values
Werte
SFH483-M E7800
1.6
3.2
SFH 483 L/M E7800
Einheit
Unit
mW/sr
mW/sr