Features:
D Available in either TO92 (NTE491) or SOT−23 Surface Mount (NTE491SM) Type Package
D High Density Cell Design for Low R
D Voltage Controlled Small Signal Switch
D Rugged and Reliable
D High Saturation Current capability
Absolute Maximum Ratings:
Drain−Source Voltage, V
Drain−Gate Voltage (R
Gate−Source Voltage, V
Drain Current, I
Total Device Dissipation (T
Operating Junction Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, R
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec), T
Continuous
Non−Repetitive (t
Continuous
Pulsed
Derate above 25°C
NTE491
NTE491SM
NTE491
NTE491SM
NTE491
NTE491SM
NTE491
NTE491SM
NTE491
NTE491SM
D
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GS
GS
p
DS
≤ 50µs)
= 1MΩ), V
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
= +25°C), P
N−Ch, Enhancement Mode
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
High Speed Switch
DGR
DS(ON)
D
NTE491SM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
J
MOSFET
NTE491
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
th (JA)
L
. . . . . . . . . . . .
−55° to +150°C
−55° to +150°C
312.5°C/W
2.8mW/°C
1.6mW/°C
625°C/W
350mW
200mW
+300°C
200mA
500mA
800mA
115mA
±20V
±40V
60V
60V