Description:
The NTE123A (NPN) and NTE159M (PNP) are widely used “Industry Standard” complementary transis-
tors in a TO18 type case designed for applications such as medium–speed switching and amplifiers from
audio to VHF frequencies.
Features:
D Low Collector Saturation Voltage: 1V (Max)
D High Current Gain–Bandwidth Product: f
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
Collector–Base Voltage, V
Emitter–Base Voltage, V
Continuous Collector Current, I
Total Device Dissipation (T
Total Device Dissipation (T
Operating Temperature Range, T
Storage Temperature Range, T
NTE123A
NTE159M
NTE123A
NTE159M
NTE123A
NTE159M
NTE123A
NTE159M
Derate Above +25 C
NTE123A
NTE159M
Derate Above +25 C
Derate Above +25 C
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Silicon Complementary Transistors
EBO
NTE123A (NPN) & NTE159M (PNP)
CBO
A
C
CEO
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= +25 C), P
= +25 C), P
stg
C
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J
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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
General Purpose
D
D
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T
= 300MHz (Min) @ I
C
20mA
–65 to +200 C
–65 to +200 C
2.28mW/ C
6.85mW/ C
10.3mW/ C
800mA
600mA
0.4W
1.2W
1.8W
40V
60V
75V
60V
6V
5V