2N3055H MULTICOMP, 2N3055H Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: 2N3055H
• Description: BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V
• Manufacturer: MULTICOMP

Specifications of 2N3055H

• Transistor Polarity: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V
• Transition Frequency Typ Ft: 800kHz
• Power Dissipation Pd: 115W
• Dc Collector Current: 15A
• Dc Current Gain Hfe: 20
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
*OFF CHARACTERISTICS
*ON CHARACTERISTICS (Note 1)
SECOND BREAKDOWN
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
(I
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
(I
Collector Cutoff Current
(V
Collector Cutoff Current
(V
(V
Emitter Cutoff Current
(V
DC Current Gain
(I
(I
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
(I
Base−Emitter On Voltage
(I
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased
(V
Current Gain − Bandwidth Product
(I
*Small−Signal Current Gain
(I
*Small−Signal Current Gain Cutoff Frequency
(V
*Indicates Within JEDEC Registration. (2N3055)
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
C
C
C
C
C
C
C
C
C
CE
CE
CE
BE
CE
CE
0.6
0.4
0.2
20
10
= 200 mAdc, I
= 200 mAdc, R
= 4.0 Adc, V
= 10 Adc, V
= 4.0 Adc, I
= 10 Adc, I
= 4.0 Adc, V
= 0.5 Adc, V
= 1.0 Adc, V
6
4
2
1
Figure 2. Active Region Safe Operating Area
= 7.0 Vdc, I
= 30 Vdc, I
= 100 Vdc, V
= 100 Vdc, V
= 40 Vdc, t = 1.0 s, Nonrepetitive)
= 4.0 Vdc, I
6
V
CE
B
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
B
CE
CE
CE
CE
CE
= 3.3 Adc)
BONDING WIRE LIMIT
THERMALLY LIMITED @ T
SECOND BREAKDOWN LIMIT
B
= 400 mAdc)
C
C
B
10
= 0)
= 4.0 Vdc)
BE
BE(off)
BE(off)
= 0)
= 4.0 Vdc)
= 4.0 Vdc)
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
= 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
= 1.0 Adc, f = 1.0 kHz)
= 0)
= 100 W)
= 1.5 Vdc)
= 1.5 Vdc, T
dc
500 ms
20
Characteristic
C
1 ms
= 150 C)
C
= 25 C (SINGLE PULSE)
(T
C
250 ms
= 25 C unless otherwise noted)
40
2N3055, MJ2955
http://onsemi.com
50 ms
60
2
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
variable depending on power level. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
derated for temperature according to Figure 1.
There are two limitations on the power handling ability of
The data of Figure 2 is based on T
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
V
V
Symbol
V
V
CEO(sus)
CER(sus)
I
CE(sat)
I
I
BE(on)
h
CEO
EBO
CEX
I
f
h
hfe
s/b
f
FE
T
fe
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
2.87
Min
5.0
2.5
60
70
20
15
10
−
−
−
−
−
−
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
C
= 25 C; T
Max
120
0.7
1.0
5.0
5.0
1.1
3.0
1.5
70
−
−
−
−
−
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
C
mAdc
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
kHz
J(pk)
− V
−
−
CE
is