Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
TIP131, TIP132 (NPN),
TIP137 (PNP)
Darlington Complementary
Silicon Power Transistors
applications.
Features
•
•
•
•
•
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
*For additional information on our Pb-Free strategy and soldering details, please
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
November, 2007 - Rev. 2
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Base Current
Total Power Dissipation @ T
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction,
Temperature Range
Thermal Resistance,
Thermal Resistance,
Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching
High DC Current Gain -
Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 30 mAdc
Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
Pb-Free Packages are Available*
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Characteristic
h
V
V
FE
CEO(sus)
CE(sat)
Rating
= 2500 (Typ) @ I
= 4.0 Adc
Peak
= 2.0 Vdc (Max) @ I
= 3.0 Vdc (Max) @ I
= 80 Vdc (Min) - TIP131
= 100 Vdc (Min) - TIP132, TIP137
A
C
Preferred Devices
= 25°C
= 25°C
C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
R
R
J
V
V
P
P
, T
CEO
I
I
qJC
qJA
CB
EB
C
B
D
D
stg
C
C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
= 4.0 Adc
= 6.0 Adc
TIP131
– 65 to + 150
80
80
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Max
1.78
63.5
300
5.0
8.0
2.0
12
70
TIP132
TIP137
100
100
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
mAdc
°C/W
°C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
°C
W
W
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
1
TIP131
TIP131G
TIP132
TIP132G
TIP137
TIP137G
COMPLEMENTARY SILICON
2
3
80-100 VOLTS, 70 WATTS
Device
DARLINGTON 8 AMPERE
POWER TRANSISTORS
TIP13x
x
A
Y
WW
G
ORDERING INFORMATION
http://onsemi.com
4
(Pb-Free)
(Pb-Free)
(Pb-Free)
CASE 221A
Package
TO-220AB
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
= Device Code
= 1, 2, or 7
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Pb-Free Package
STYLE 1
Publication Order Number:
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
50 Units/Rail
Shipping
MARKING
DIAGRAM
TIP13xG
AYWW
TIP131/D