Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
2N5883, 2N5884 (PNP)
2N5885, 2N5886 (NPN)
Complementary Silicon
High−Power Transistors
general−purpose power amplifier and switching applications.
Features
•
•
•
•
•
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Indicates JEDEC registered data. Units and conditions differ on some
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
THERMAL CHARACTERISTICS
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
March, 2006 − Rev. 11
MAXIMUM RATINGS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current −
Base Current
Total Device Dissipation @ T
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Complementary silicon high−power transistors are designed for
Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
Low Leakage Current
Excellent DC Current Gain −
High Current Gain Bandwidth Product −
Pb−Free Packages are Available*
parameters and re−registration reflecting these changes has been requested.
All above values most or exceed present JEDEC registered data.
Continuous
Peak
V
I
h
f
CEX
t
FE
Characteristic
CE(sat)
= 4.0 MHz (min) at I
= 20 (min) at I
Rating
2N5884 and 2N5886 are Preferred Devices
= 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage
= 1.0 Vdc, (max) at I
(Note 1)
2N5883, 2N5885
2N5884, 2N5886
2N5883, 2N5885
2N5884, 2N5886
C
= 25°C
C
= 10 Adc
C
= 1.0 Adc
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Symbol
T
C
V
J
V
V
q
P
, T
= 15 Adc
CEO
I
I
JC
CB
EB
C
B
D
stg
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
– 65 to + 200
Value
0.875
1.15
Max
200
5.0
7.5
60
80
60
80
25
50
1
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
W/°C
°C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
°C
W
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 5 of this data sheet.
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
SILICON POWER TRANSISTORS
25 AMPERE COMPLEMENTARY
60 − 80 VOLTS, 200 WATTS
2N588x = Device Code
G
A
YY
WW
MEX
ORDERING INFORMATION
MARKING DIAGRAM
http://onsemi.com
TO−204AA (TO−3)
CASE 1−07
= Pb−Free Package
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Country of Origin
2N588xG
STYLE 1
AYYWW
x = 3, 4, 5, or 6
MEX
Publication Order Number:
2N5883/D