MJ15022G ON Semiconductor, MJ15022G Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: MJ15022G
• Description: TRANS PWR NPN 16A 200V TO3
• Manufacturer: ON Semiconductor
• Type: Powerr

Specifications of MJ15022G

• Transistor Type: NPN
• Current - Collector (ic) (max): 16A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 200V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
• Current - Collector Cutoff (max): 500µA
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
• Power - Max: 250W
• Frequency - Transition: 4MHz
• Mounting Type: Chassis Mount
• Package / Case: TO-204, TO-3
• Transistor Polarity: NPN
• Mounting Style: Through Hole
• Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 200 V
• Emitter- Base Voltage Vebo: 5 V
• Maximum Dc Collector Current: 16 A
• Power Dissipation: 250 W
• Maximum Operating Temperature: + 200 C
• Continuous Collector Current: 16 A
• Dc Collector/base Gain Hfe Min: 15
• Maximum Operating Frequency: 4 MHz
• Minimum Operating Temperature: - 65 C
• Current, Collector: 16 A
• Current, Gain: 5
• Frequency: 4 MHz
• Package Type: TO-204AA (TO-3)
• Polarity: NPN
• Primary Type: Si
• Resistance, Thermal, Junction To Case: 0.7 °C/W
• Voltage, Breakdown, Collector To Emitter: 200 V
• Voltage, Collector To Base: 350 V
• Voltage, Collector To Emitter: 200 V
• Voltage, Collector To Emitter, Saturation: 4 V
• Voltage, Emitter To Base: 5 V
• Number Of Elements: 1
• Collector-emitter Voltage: 200V
• Collector-base Voltage: 350V
• Emitter-base Voltage: 5V
• Collector Current (dc) (max): 16A
• Dc Current Gain (min): 15
• Frequency (max): 4MHz
• Operating Temp Range: -65C to 200C
• Operating Temperature Classification: Military
• Mounting: Through Hole
• Pin Count: 2 +Tab
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Other names: MJ15022GOS

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
2. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle v 2%.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
SECOND BREAKDOWN
ON CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 2)
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Second Breakdown Collector Current with Base Forward Biased
DC Current Gain
Collector−Emitter Saturation Voltage
Base−Emitter On Voltage
Current−Gain − Bandwidth Product
Output Capacitance
100
5.0
1.0
0.2
0.1
50
20
10
(I
(V
(V
(V
(V
(V
(V
(V
(I
(I
(I
(I
(I
(I
(V
0.1
C
C
C
C
C
C
C
CE
CE
CE
CE
CE
CE
CE
CB
= 100 mAdc, I
= 8 Adc, V
= 16 Adc, V
= 8 Adc, I
= 16 Adc, I
= 8 Adc, V
= 1 Adc, V
Figure 1. Active−Region Safe Operating Area
= 200 Vdc, V
= 250 Vdc, V
= 150 Vdc, I
= 200 vdc, I
= 5 Vdc, I
= 50 Vdc, t = 0.5 s (non−repetitive))
= 80 Vdc, t = 0.5 s (non−repetitive))
= 10 Vdc, I
0.2
V
CE
B
BONDING WIRE LIMITED
THERMAL LIMITATION
(SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN
LIMITED
, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
CE
CE
CE
B
= 0.8 Adc)
0.5
B
CE
= 3.2 Adc)
E
= 0)
= 4 Vdc)
= 4 Vdc)
= 10 Vdc, f
B
B
B
= 0, f
= 4 Vdc)
BE(off)
BE(off)
= 0)
= 0)
= 0)
10
test
= 1.5 Vdc)
= 1.5 Vdc)
20
= 1 MHz)
test
= 1 MHz)
Characteristic
50
(T
100
C
= 25_C unless otherwise noted)
T
NPN − MJ15022, MJ15024*
C
= 25°C
250
500
1 k
2
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
variable depending on conditions. At high case
temperatures, thermal limitations will reduce the power that
can be handled to values Ion than the limitations imposed by
second breakdown.
There are two limitations on the powerhandling ability of
The data of Figure 1 is based on T
MJ15022
MJ15024
MJ15022
MJ15024
MJ15022
MJ15024
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
V
Symbol
V
V
CEO(sus)
I
CE(sat)
I
I
BE(on)
h
C
CEO
EBO
I
CEX
S/b
f
FE
T
ob
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Min
200
250
15
−
−
−
−
−
5
2
5
−
−
−
4
−
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
J(pk)
Max
250
250
500
500
500
500
1.4
4.0
2.2
60
−
−
−
−
−
−
= 200_C; T
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
C
mAdc
mAdc
mAdc
Unit
MHz
Adc
Vdc
Vdc
− V
pF
−
−
C
CE
is