Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJL21193, MJL21194
Silicon Power Transistors
technology and are specifically designed for high power audio output,
disk head positioners and linear applications.
Features
•
•
•
•
•
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle ≤2%
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
June, 2010 − Rev. 6
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector−Emitter Voltage − 1.5 V
Collector Current − Continuous
Base Current − Continuous
Total Power Dissipation @ T
Derate above 25_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
The MJL21193 and MJL21194 utilize Perforated Emitter
Total Harmonic Distortion Characterized
High DC Current Gain −
Excellent Gain Linearity
High SOA: 2.25 A, 80 V, 1 Second
These are Pb−Free Devices*
Characteristic
Rating
Peak (Note 1)
C
h
= 25_C
FE
= 25 Min @ I
= 8 Adc
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
V
V
V
R
J
P
, T
CEO
CBO
EBO
CEX
I
I
qJC
C
B
C
D
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
−65 to
Value
+ 150
1.43
Max
250
400
400
200
0.7
16
30
5
5
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
W/_C
_C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_C
W
†For information on tape and reel specifications,
MJL21193G
MJL21194G
16 AMPERE COMPLEMENTARY
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
Device
CASE 340G
STYLE 2
TO−264
250 VOLTS, 200 WATTS
x
A
YY
WW
G
ORDERING INFORMATION
SILICON POWER
TRANSISTORS
http://onsemi.com
= 3 or 4
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
(Pb−Free)
(Pb−Free)
Package
TO−264
TO−264
BASE
MARKING DIAGRAM
Publication Order Number:
1
2 COLLECTOR
MJL2119x
AYYWWG
25 Units / Rail
25 Units / Rail
Shipping
MJL21193/D
3
EMITTER
†