MPSA77G ON Semiconductor, MPSA77G Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: MPSA77G
• Description: TRANS PNP DARL SS 60V TO92
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of MPSA77G

• Transistor Type: PNP - Darlington
• Current - Collector (ic) (max): 500mA
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 60V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
• Current - Collector Cutoff (max): 500nA
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
• Power - Max: 625mW
• Mounting Type: Through Hole
• Package / Case: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Frequency - Transition: -
• Other names: MPSA77GOS

--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
4.0
3.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
10
0
--0.3
--1.0 --2.0
200
100
7.0
5.0
3.0
2.0
70
50
30
20
10
--0.3
--0.5
V
f = 100 MHz
T
A
CE
T
= 25°C
A
V
Figure 4. High Frequency Current Gain
= --5.0 V
= 25°C
CE(sat)
--1.0
--0.5
--5.0
@ I
--2 --3 --5
I
I
C
C
Figure 2. “On” Voltage
C
/I
--0.7
, COLLECTOR CURRENT (mA)
, COLLECTOR CURRENT (mA)
B
--10
T
= 1000
A
= 125°C
--1.0
--20
--55°C
25°C
--10
V
BE(on)
V
--50
BE(sat)
--20 --30 --50
@ V
--2.0
--100 --200
@ I
CE
C
I
/I
C
= --5.0 V
B
/I
--3.0
B
= 100
= 100
--100 --200 --300
--500
Figure 1. DC Current Gain
http://onsemi.com
I
C
--5.0
, COLLECTOR CURRENT (mA)
--1K
--7.0
3
--1000
--300
--200
--100
--10
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--50
--20
--10
--0.1 --0.2
--1.0
I
C
Figure 5. Active Region, Safe Operating Area
T
=
A
= 25°C
--0.5
Figure 3. Collector Saturation Region
--10 mA --50 mA --100 mA --175 mA
T
--2.0
C
--20
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
= 25°C
--1 --2 --5 --10 --20 --50 --100--200 --500
(DUTY CYCLE ≤ 10%)
V
CE
--4.0
--30
, COLLECTOR VOLTAGE (VOLTS)
V
CE
I
B
, BASE CURRENT (mA)
= --2.0 V
--6.0
--5.0 V
--50
--10
1.0 s
--70
MPSA75
MPSA77
1.0 ms
--20
--100
--300 mA
--40 --60
--1K--2K
100 ms
T
A
--200
= 25°C
--10 V
--5K
--300
--10K