Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MJ15001 (NPN),
MJ15002 (PNP)
Complementary Silicon
Power Transistors
designed for high power audio, disk head positioners and other linear
applications.
Features
•
•
•
•
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
December, 2005 − Rev. 4
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Collector−Emitter Voltage
Collector−Base Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
Base Current − Continuous
Emitter Current − Continuous
Total Power Dissipation @ T
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes 1/16″ from Case for v 10 secs
The MJ15001 and MJ15002 are EpiBaset power transistors
High Safe Operating Area (100% Tested) − 5.0 A @ 40 V
For Low Distortion Complementary Designs
High DC Current Gain − h
Pb−Free Packages are Available*
Derate above 25°C
Characteristic
Rating
C
= 25°C
FE
= 25 (Min) @ I
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Symbol
Symbol
T
V
V
V
R
J
P
, T
CEO
CBO
EBO
T
I
I
I
qJC
C
B
E
D
L
stg
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
0.5 A @ 100 V
C
= 4 Adc
–65 to +200
Value
0.875
1.14
Max
140
140
200
265
15
20
5
5
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
1
°C/W
W/°C
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Adc
°C
°C
W
MJ15001
MJ15001G
MJ15002
MJ15002G
COMPLEMENTARY SILICON
Device
POWER TRANSISTORS
140 VOLTS, 250 WATTS
MJ1500x = Device Code
G
A
YY
WW
MEX
ORDERING INFORMATION
MARKING DIAGRAM
http://onsemi.com
20 AMPERE
TO−204AA
TO−204AA
TO−204AA
TO−204AA
(Pb−Free)
(Pb−Free)
Package
MJ1500xG
= Pb−Free Package
= Location Code
= Year
= Work Week
= Country of Orgin
AYYWW
x = 1 or 2
MEX
Publication Order Number:
TO−204AA (TO−3)
CASE 1−07
STYLE 1
100 Units/Tray
100 Units/Tray
100 Units/Tray
100 Units/Tray
Shipping
MJ15001/D