MJD47 ON Semiconductor, MJD47 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: MJD47
• Description: TRANS POWER NPN 1A 250V DPAK
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of MJD47

• Transistor Type: NPN
• Current - Collector (ic) (max): 1A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 250V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
• Current - Collector Cutoff (max): 200µA
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
• Power - Max: 1.56W
• Frequency - Transition: 10MHz
• Mounting Type: Surface Mount
• Package / Case: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
• Lead Free Status / RoHS Status: Contains lead / RoHS non-compliant

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
2. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2%.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 2)
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector−Emitter Saturation Voltage
Base−Emitter On Voltage
Current Gain — Bandwidth Product
Small−Signal Current Gain
2.5
1.5
0.5
T
(I
(V
(V
(V
(V
(V
(I
(I
(I
(I
(I
(I
A
2
1
0
C
C
C
C
C
C
C
CE
CE
CE
CE
BE
= 30 mAdc, I
= 0.3 Adc, V
= 1 Adc, V
= 1 Adc, I
= 1 Adc, V
= 0.2 Adc, V
= 0.2 Adc, V
25
20
15
10
T
5
0
C
= 150 Vdc, I
= 300 Vdc, I
= 350 Vdc, V
= 500 Vdc, V
= 5 Vdc, I
25
B
CE
CE
= 0.2 Adc)
C
CE
CE
CE
B
T
= 0)
50
= 10 Vdc)
= 10 Vdc)
B
B
= 0)
C
BE
BE
= 10 Vdc)
= 10 Vdc, f = 2 MHz)
= 10 Vdc, f = 1 kHz)
= 0)
= 0)
Figure 1. Power Derating
= 0)
= 0)
T
A
(SURFACE MOUNT)
T, TEMPERATURE (°C)
75
Characteristic
(T
100
C
= 25_C unless otherwise noted)
TYPICAL CHARACTERISTICS
125
http://onsemi.com
150
2
V
APPROX
EB(off)
+11 V
APPROX
+11 V
V
V
in
in
TURN-OFF PULSE
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
0
TURN-ON PULSE
MJD47
MJD50
MJD47
MJD50
MJD47
MJD50
t
2
t
1
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
t
3
V
Symbol
V
10 < t
V
CEO(sus)
V
CE(sat)
I
I
I
BE(on)
CEO
h
CES
EBO
h
CC
V
DUTY CYCLE ≈ 2%
APPROX - 9 V
t
f
FE
t
3
T
in
fe
1
< 15 ns
2
≤ 7 ns
51
< 500 ms
C
jd
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
R
DESIRED CURRENT LEVELS.
<< C
B
and R
Min
250
400
R
30
10
10
25
eb
−
−
−
−
−
−
−
B
R
C
C
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
- 4 V
VARIED TO OBTAIN
Max
150
0.2
0.2
0.1
0.1
1.5
−
−
1
−
1
−
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
mAdc
mAdc
mAdc
Unit
MHz
SCOPE
Vdc
Vdc
Vdc
−
−