BD680 ON Semiconductor, BD680 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: BD680
• Description: TRANS DARL PNP 80V 4A BIPO TO225
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of BD680

• Transistor Type: PNP - Darlington
• Current - Collector (ic) (max): 4A
• Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 80V
• Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A
• Current - Collector Cutoff (max): 500µA
• Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V
• Power - Max: 40W
• Mounting Type: Through Hole
• Package / Case: TO-225-3
• Lead Free Status / RoHS Status: Contains lead / RoHS non-compliant
• Frequency - Transition: -
• Other names: BD680OS

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
a transistor average junction temperature and secondary
breakdown. Safe operating area curves indicate I
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; e.g., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1)
Collector Cutoff Current (V
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current (V
DC Current Gain (Note 1)
Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 1)
Base−Emitter On Voltage (Note 1)
Small−Signal Current Gain (I
There are two limitations on the power handling ability of
(I
(V
(V
(I
(I
(I
(I
(I
(I
5.0
50
45
40
35
30
25
20
15
10
C
C
C
C
C
C
C
0
CB
CB
15
= 50 mAdc, I
= 1.5 Adc, V
= 2.0 Adc, V
= 1.5 Adc, I
= 2.0 Adc, I
= 1.5 Adc, V
= 2.0 Adc, V
= Rated BV
= Rated BV
30
Figure 1. Power Temperature Derating
45
B
B
CE
CE
CE
CE
B
= 30 mAdc)
= 40 mAdc)
CEO
CEO
= 0)
= 3.0 Vdc)
= 3.0 Vdc)
= 3.0 Vdc)
= 3.0 Vdc)
T
60
C
, I
. I
, CASE TEMPERATURE (°C)
BE
E
E
CE
= 0)
= 0, T
= 5.0 Vdc, I
75
C
= Half Rated V
= 1.5 Adc, V
C
90
Characteristic
= 100°C)
C
105
(T
= 0)
C
CE
= 25_C unless otherwise noted)
CEO
120
= 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
, I
B
135
= 0)
C
http://onsemi.com
150
− V
CE
165
BD676, 678, 680, 682
BD676A, 678A, 680A
BD678, 680, 682
BD676A, 678A, 680A
BD678, 680, 682
BD676A, 678A, 680A
2
BD676, 676A
BD678, 678A
BD680, 680A
BD682
the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by secondary breakdown.
0.05
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
1.0
T
C
2.0
= 25°C
V
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Figure 2. DC Safe Operating Area
CE
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT at T
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Symbol
V
V
BV
CE(sat)
I
I
I
BE(on)
CEO
CBO
h
EBO
h
CEO
FE
fe
5.0
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
BD676, 676A
BD678, 678A
BD680, 680A
10
C
Min
100
750
750
= 25°C
1.0
45
60
80
−
−
−
−
−
−
−
−
BD682
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
20
Max
500
0.2
2.0
2.0
2.5
2.8
2.5
2.5
−
−
−
−
−
−
−
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
50
mAdc
mAdc
mAdc
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
−
−
−
100