SFH3410 OSRAM Opto Semiconductors Inc, SFH3410 Datasheet

PHOTOTRANSISTOR NPN 570NM SMD

SFH3410

Manufacturer Part Number
SFH3410
Description
PHOTOTRANSISTOR NPN 570NM SMD
Manufacturer
OSRAM Opto Semiconductors Inc
Datasheet

Specifications of SFH3410

Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
5.5V
Current - Collector (ic) (max)
20mA
Current - Dark (id) (max)
50nA
Wavelength
570nm
Viewing Angle
120°
Power - Max
-
Mounting Type
Surface Mount
Orientation
Top View
Package / Case
3-SMD, Gull Wing
Lead Free Status / Rohs Status
Contains lead / RoHS non-compliant
Other names
475-1083-2
Q62702P5160

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
SFH3410
Manufacturer:
SHARP
Quantity:
2 500
Part Number:
SFH3410
Manufacturer:
OSRAM/欧司朗
Quantity:
20 000
Part Number:
SFH3410-1
Manufacturer:
OSRAM
Quantity:
100 000
Part Number:
SFH3410-1/2
Manufacturer:
OSRAM
Quantity:
100 000
Part Number:
SFH3410-1/2-Z
Manufacturer:
OSRAM/欧司朗
Quantity:
20 000
Part Number:
SFH3410-2
Manufacturer:
OSRAM
Quantity:
21 784
Part Number:
SFH3410-2/3
Manufacturer:
OSRAM
Quantity:
100 000
NPN-Si-Fototransistor mit V Charakteristik
Silicon NPN Phototransistor with V Characteristics
SFH 3410
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
• Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (
• SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet
• Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
• Umgebungslicht-Detektor
• Beleuchtungsmesser
• Dimmungssensor für Hintergrundbeleuchtung
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 3410
SFH 3410 -1/2
SFH 3410 -2/3
SFH 3410 -3/4
2002-12-18
von 350 nm bis 970 nm
für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
(JEDEC level 4)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P5160
Q65110A0049
Q65110A0050
Q65110A0051
V
Fotostrom
Photocurrent
Ipce ( A)
>3.2
3.2…10
5…16
8…25
)
1
Features
• Especially suitable for applications from
• Adapted to human eye sensitivity (
• SMT package without base connection,
• Only available on tape and reel
Applications
• Ambient light detector
• Exposure meter for daylight and artificial light
• Sensor for Backlight-Dimming
• For control and drive circuits
tSilicon NPN Phototransistor with V Characteristics
350 nm to 970 nm
suitable for vapor phase and IR reflow soldering
(JEDEC level 4)
E
v
= 20 lx, Standard light A,
V
CE
= 5 V
V
)

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SFH3410 Summary of contents

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Page 2

Grenzwerte ( Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Kennwerte ( Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der ...

Page 3

Bezeichnung Parameter Fotostrom Photocurrent lx, Normlicht/standard light Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage 0. PCEmin ist der minimale Fotostrom der ...

Page 4

Relative Spectral Sensitivity rel OHF00851 100 % S rel 400 500 600 700 800 900 nm 1100 Collector-Emitter Current ...

Page 5

Maßzeichnung Package Outlines Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg © All Rights Reserved. Attention please! The information describes ...

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