2DI200M-050 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 2DI200M-050 Datasheet

2DI200M-050

Manufacturer Part Number

2DI200M-050

Description

Manufacturer

Fuji Electric holdings CO.,Ltd

Datasheet

1.2DI200M-050.pdf (3 pages)

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Manufacturer

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Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

2DI200M-050

Manufacturer:

FUJI

Quantity:

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

2DI200M-050

Manufacturer:

FUJI

Quantity:

560

Company:

Meier Automation Equipment Co., Limited

Part Number:

2DI200M-050

Manufacturer:

FUJITSU/富士通

Quantity:

20 000

Company:

HONG KONG JIETUO ZIJING INTERNATIONAL TRADING CO., LIMITED

Part Number:

2DI200M-050

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2DI200M-050

パワートランジスタモジュール

POWER TRANSISTOR MODULE

パワートランジスタモジュール

POWER TRANSISTOR MODULE

Item

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタ電流

ベース電流

コレクタ損失

接合部温度

保存温度

質量

絶縁耐圧 AC.1min

締付けトルク

Item

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

コレクタ・エミッタ間電圧

直流電流増幅率

コレクタ・エミッタ飽和電圧

ベース・エミッタ飽和電圧

スイッチング時間

hFE

hFE が高い

hFE

高速

高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

hFE

高速

ロボット

ロボット Robotics (Servo Drive for Robots)

ロボット

NC 工作機械

Switching Power Supplies for Welding Machines

汎用

無停電電源

無停電電源 Uninterruptible Power Supply

無停電電源

熱抵抗

汎用

汎用ｲﾝﾊﾞｰﾀ

汎用

無停電電源

Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)

電気的特性

Item

電気的特性

定格と特性

絶対最大定格

熱的特性

熱的特性 : : : : : Thermal characteristics

用途

用途：：：：： Applications

用途

溶接機等の

溶接機等のｽｲｯﾁﾝｸﾞ

特長

特長：：：：： Features

特長

が高い

が高い High DC Current Gain

が高い

工作機械

工作機械 Servo & Spindle Drive for NC Machine Tools

工作機械

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ High Speed Switching

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

ｲﾝﾊﾞｰﾀ

ｲﾝﾊﾞｰﾀ General Purpose Inverter

ｲﾝﾊﾞｰﾀ

：

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ電源

Electrical characteristics (T

: Maximum ratings and characteristic

two Transistor

D C

1ms

one Transistor

電源

Symbol

-I

Viso

Mounting *1

Terminal *1

Symbol

stg

Symbol

-V

CBO

CEO

CEO(SUS)

EBO

CBO

EBO

stg

th(j-c)

th(c-f)

CBO

CEO

CEO(SUS)

CEX(SUS)

EBO

CE(Sat)

BE(Sat)

(200A)

=25°C unless otherwise specified)

Rating

With Thermal Compound

-40 to +125

Transistor

Diode

Test Conditions

-I

CBO

CEO

EBO

Test Conditions

CBO

EBO

+150

2500

= 2A

= 200A, I

= 200A

= 200A, V

600

450

200

400

200

800

550

= +5A

= 200A

= -5A

= 2mA

= 600mA

3.5

4.5

= 10V

= 600V

= 5A

= 5V

Unit

°C

N･m

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE

Note:

*1:推奨値 Recommendable Value;

*2:推奨値 Recommendable Value;

CASE

外形寸法

外形寸法: : : : : Outline Drawings

等価回路

等価回路 : : : : :

Equivalent Circuit Schematic

Min.

450

2000

600

2.5to3.0N･m[25to30kgf･cm](M5)

3.5to4.0N･m[35to40kgf･cm](M6)

M210

E82988(M)

Typ.

0.03

400

Max.

0.5

0.156

2.0

1.8

2.5

3.0

6.0

8.0

2.0

Units

°C/W

µs

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