PHM5601 Nihon Inter Electronics (NIEC), PHM5601 Datasheet

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PHM5601

Manufacturer Part Number
PHM5601
Description
MOSFET MODULE Single 560A/150V
Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
PHM5601
Manufacturer:
VICOR
Quantity:
726
Part Number:
PHM5601
Quantity:
60
□ 最 最 最 最 大 大 大 大 定 定 定 定 格 格 格 格 :
□ 電 電 電 電 気 気 気 気 的 的 的 的 特 特 特 特 性 性 性 性 :
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
ドレイン遮断電流
Zero Gate Voltage Drain Current
ゲート漏れ電流
Gate-Source Leakage Current
ゲートしきい値電圧
Gate-Source Threshold Voltage
ドレイン・ソース間オン抵抗(MOSFET部)
Drain-Source On-Resistance
ドレイン・ソース間オン電圧
Drain-Source On-Voltage
順伝達コンダクタンス
Forward Transconductance
スイッチング時間
Switching Time
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
ド レ イ ン 電 流
Drain Current
Pulsed Drain Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
絶 縁 耐 圧(Terminal to Base AC,1minute)
Isolation Voltage
Mounting Torque
ド レ イ ン ・ ソ − ス 間 電 圧(V
締 め 付 け ト ル ク
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧
特長
特長
特長
特長
* 大容量(560A
*
* 超低R
* 内臓ダイオードが高速
用途
用途
用途
用途
* バッテリフォークリフト用チョッパ
* 48V級直流電源制御用
パ ル ス ド レ イ ン 電 流
トレンチゲートMOSFETを搭載
DS
Characteristic
(on):2mΩ(@560A)を実現
MAXIMUM
MAXIMUM
MAXIMUM
MAXIMUM RATINGS
ELECTRICAL
ELECTRICAL
ELECTRICAL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall
ターンオフ時間 Turn-off Time
DC
Item
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
)です
Module
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
GS
=0V)
DC 端子温度=80℃
RATINGS
RATINGS
RATINGS
−Single
Duty=50%
CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
Time
Time
(T
=25℃)
Symbol
Symbol
56
DS(on)
DS(on)
GS(th)
gfs
DSS
GSS
stg
ISO
tor
DSS
GSS
ies
oes
res
off
on
DM
0 A,150V
結 線 図
DS
(T
DS
GS
GS
GS
DS
GS
DD
GS
Test Condition
=V
M4
M8
=280A
=1.2Ω
= 150V,V
= ±20V,V
=10V,I
=10V,I
=15V,I
=0V V
=80V
=-5V,+10V
=25℃)
GS
,I
DS
=16mA
=560A
=560A
=560A
GS
DS
=10V
= 0V
□ 外 外 外 外 形 形 形 形 寸 寸 寸 寸 法 法 法 法 図 図 図 図 :
= 0V
Rated Value
f=1MH
−40∼+150
−40∼+125
10.5(107)
1.4(14.3)
1,120
1,780
2,500
3(30.6)
150
±20
560
440
質量:約650g
Min.
1.0
OUTLINE
OUTLINE
OUTLINE
OUTLINE DRAWING
Typ.
1100
2.0
1.6
1.0
PHM5601
PHM5601
PHM5601
PHM5601
110
400
380
170
13
13
DRAWING
DRAWING
DRAWING
Max.
3.2
3.2
3.2
2.0
1.2
Dimension:[mm]
Unit
(kgf・cm)
Unit
N・m
mA
μA
nF
pF
pF
ns
(RMS)

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PHM5601 Summary of contents

Page 1

DC * トレンチゲートMOSFETを搭載 * 超低R (on):2mΩ(@560A)を実現 内臓ダイオードが高速 用途 用途 用途 用途 * バッテリフォークリフト用チョッパ * 48V級直流電源制御用 □ 最 最 最 最 大 大 大 大 定 ...

Page 2

MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET Module −Single □ 内部逆方向ダイオードの定格と特性 内部逆方向ダイオードの定格と特性: 内部逆方向ダイオードの定格と特性 内部逆方向ダイオードの定格と特性 Source Source Source Drain Source Characteristic ソ−ス電流 Continuous Source Current パルスソ−ス電流 Pulsed Source Current ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time THERMAL CHARACTERISTICS THERMAL CHARACTERISTICS ...

Page 3

Fig.1- Output Characteristics 1200 V =10V GE 8V 1000 800 600 400 200 0 0 0.5 1 1.5 2 Drain to Source Voltage V Fig.3- Drain to Source On Voltage vs. Junction Temperature 2.5 ...

Page 4

Fig.7- Drain Current vs. Switching Time 1.2 td(off) 1 0.8 0.6 0.4 td(on 0 100 200 300 Drain Current I Fig.9- Reverse Recovery Characteristics 500 -I =800A S T ...

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