FSS131 Sanyo Semiconductor Corporation, FSS131 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: FSS131
• Description: P-channel Silicon Mosfet
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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Switching Time Test Circuit
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
0
0
0
0
I D = --2A
--0.1
Parameter
--0.2
PW=10 s
D.C.≤1%
--2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
--4V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
P.G
0V
--6A
--0.3
V IN
R DS (on) -- V GS
--0.4
I D -- V DS
--4
V IN
--0.5
50Ω
G
--0.6
--6
V DD = --10V
R DS (on)1
R DS (on)2
Symbol
t d (on)
t d (off)
D
Coss
--0.7
Crss
V SD
Ciss
Qgs
Qgd
Qg
t r
t f
S
I D = --6A
R L =1.67Ω
--0.8
--8
Ta=25°C
FSS131
I D =- -6A, V GS =- -4V
I D =- -2A, V GS =- -2.5V
V DS =- -10V, f=1MHz
V DS =- -10V, f=1MHz
V DS =- -10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
V DS =- -10V, V GS =--10V, I D =- -6A
V DS =- -10V, V GS =--10V, I D =- -6A
V DS =- -10V, V GS =--10V, I D =- -6A
I S =--6A, V GS =0
--0.9
V OUT
IT02526
IT02528
--1.0
--10
FSS131
Conditions
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
0
0
--60
0
--40
--20
--0.5
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- °C
0
min
R DS (on) -- Ta
20
--1.0
I D -- V GS
40
Ratings
typ
--0.82
2100
60
480
320
240
130
29
41
28
93
41
--1.5
4
5
80
max
100
--1.5
38
58
--2.0
V DS = --10V
120
No.6786-2/4
140
IT02529
Unit
IT02527
m
m
pF
pF
nC
nC
nC
pF
ns
ns
ns
ns
V
--2.5
160