FZ800R17KF6CB2 Infineon Technologies Corporation, FZ800R17KF6CB2 Datasheet

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FZ800R17KF6CB2

Manufacturer Part Number
FZ800R17KF6CB2
Description
Igbt-module Igbt-modules
Manufacturer
Infineon Technologies Corporation
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FZ800R17KF6CB2
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
20 000
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Alfons Wiesenthal
approved by: Chr. Lübke; 11.08.2000
IGBT-Module
IGBT-Modules
1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode
1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
t
T
t
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
I
I
I
V
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication: 04.08.2000
revision: 2 (Series)
FZ 800 R 17 KF6C B2
C
C
C
P
P
C
C
C
R
GE
CE
CE
CE
= 1 ms, T
= 1 ms
= 800A, V
= 800A, V
= 60mA, V
=25°C, Transistor
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
= 1700V, V
= 1700V, V
= 0V, V
= -15V ... +15V
p
= 10ms, T
vj
vj
GE
C
GE
GE
CE
= 25°C,V
= 25°C,V
= 80°C
= 20V, T
= 15V, T
= 15V, T
GE
GE
= V
= 0V, T
= 0V, T
GE
1(8)
, T
Vj
CE
CE
vj
= 125°C
vj
vj
vj
= 25°C
= 25V, V
= 25V, V
= 25°C
= 125°C
= 25°C
vj
vj
= 25°C
= 125°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
V
I
V
V
V
C,nom.
I
I
C
C
I
I
P
CE sat
CRM
FRM
GE(th)
Q
GES
CES
I
ISOL
CES
I
GES
I
2
C
F
res
tot
ies
G
t
min.
4,5
-
-
-
-
-
-
-
-
+/- 20V
1700
1300
1600
1600
typ.
0,02
800
800
170
6,6
2,6
3,1
5,5
9,6
2,7
52
10
4
-
FZ800R17KF6CB2
max.
400
3,1
3,6
6,5
1,5
80
-
-
-
kA
kW
mA
mA
µC
kV
nF
nF
nA
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
2
s

Related parts for FZ800R17KF6CB2

FZ800R17KF6CB2 Summary of contents

Page 1

... CES I 800 A C,nom. I 1300 1600 A CRM P 6,6 kW tot V +/- 20V V GES I 800 1600 A FRM 2 2 170 ISOL min. typ. max 2,6 3 sat - 3,1 3 4,5 5,5 6,5 V GE(th 9,6 - µ ies res I - 0,02 1,5 mA CES - 400 nA GES FZ800R17KF6CB2 ...

Page 2

... E - 300 - mWs 325 - mWs off I - 3200 - sCE CC´+EE´ min. typ. max 2,1 2 2,1 2 800 - 920 - 170 - µ 300 - µ mWs rec - 160 - mWs FZ800R17KF6CB2 ...

Page 3

... FZ 800 R 17 KF6C B2 Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module = 1 W/m W/m*K Paste grease terminals M4 terminals M8 3(8) min. typ. max 0,019 K/W thJC - - 0,034 K 0,008 - K/W thCK 150 ° -40 - 125 ° -40 - 125 °C stg AlN 275 1050 g FZ800R17KF6CB2 ...

Page 4

... FZ 800 R 17 KF6C 15V GE 1,5 2,0 2,5 3,0 3 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 V [ Tvj = 25°C Tvj = 125°C 4,0 4,5 5 125°C vj 4,0 4,5 5,0 FZ800R17KF6CB2 ...

Page 5

... Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 1800 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0,0 0,5 FZ 800 R 17 KF6C 25° 125° [V] GE Tvj=25°C Tvj=125°C 1,0 1,5 V [ 20V 2,0 2,5 3,0 FZ800R17KF6CB2 ...

Page 6

... C off C rec =1 900V 125°C, V gon goff CE j 600 800 1000 1200 I [ off 800A , V = 900V , T = 125° 6( ± 15V GE 1400 1600 1800 = rec G = ± 15V FZ800R17KF6CB2 ...

Page 7

... Reverse bias safe operation area (RBSOA) 1800 1600 1400 1200 IC,Modul 1000 IC,Chip 800 600 400 200 0 0 200 Z thJC 0 [sec 1,82 8,99 0,003 0,05 3,35 18,22 0,003 0,045 R = 1,8 Ohm 400 600 800 1000 1200 (t) Zth:Diode Zth:IGBT 10 100 3 4 3,8 4,39 0,1 0,95 6,22 6,21 0,45 0,75 = 125°C vj 1400 1600 1800 FZ800R17KF6CB2 ...

Page 8

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Äußere Abmessungen / external dimensions FZ 800 R 17 KF6C B2 8(8) FZ800R17KF6CB2 ...

Page 9

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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