F4-400R12KS4B2 Infineon Technologies Corporation, F4-400R12KS4B2 Datasheet

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F4-400R12KS4B2

Manufacturer Part Number
F4-400R12KS4B2
Description
Igbt-module Igbt-modules
Manufacturer
Infineon Technologies Corporation
Datasheet
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: A.Schulz
approved by: M.Hierholzer
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
t
T
t
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
I
I
I
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
date of publication : 2001-11-29
revision: 3
C
C
C
F4-400R12KS4 B2
P
P
V
C
C
C
R
CE
CE
GE
= 1 ms, T
= 1 ms
= 400A, V
= 400A, V
= 16 mA, V
=25°C, Transistor
= 80°C
= 25 °C
= 0V, t
= 1200V, V
= 0V, V
= -15V ... + 15V, V
p
vj
vj
= 10ms, T
GE
C
GE
GE
= 25°C,V
= 25°C,V
= 80°C
CE
= 20V, T
= 15V, Tvj = 25°C
= 15V, T
GE
= V
= 0V, T
GE
Vj
, T
CE
CE
vj
= 125°C
vj
CE
vj
= 25V, V
= 25V, V
= 25°C
= 125°C
vj
= 25°C
= 600V
1/9
= 25°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
V
I
V
V
C,nom.
V
I
I
C
P
CE sat
C
I
I
CRM
FRM
GE(th)
Q
CES
GES
I
ISOL
CES
I
GES
I
C
F
2
res
tot
ies
t
G
min.
4,5
-
-
-
-
-
-
-
65.000
+/- 20V
2.500
1200
3000
typ.
3,20
3,85
400
570
800
400
800
5,5
1,7
4,2
26
-
-
max.
3,70
400
6,5
5
-
-
-
-
F4-400R12KS4 B2_V3.xls
A
mA
µC
nF
nF
nA
W
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
V
2
s
2001-11-29

Related parts for F4-400R12KS4B2

F4-400R12KS4B2 Summary of contents

Page 1

... CES I 400 A C,nom. I 570 800 A CRM P 3000 W tot V +/- 20V V GES I 400 800 A FRM 2 65.000 2.500 V ISOL min. typ. max 3,20 3, sat - 3, 4,5 5,5 6,5 V GE(th ies res Q - 4,2 - µ CES 400 nA GES F4-400R12KS4 B2_V3.xls 2001-11-29 ...

Page 2

... mWs mWs off I - 2600 - sCE CC'+EE' min. typ. max 2, 270 - 450 - µ µ mWs rec - 38 - mWs F4-400R12KS4 B2_V3.xls 2001-11-29 ...

Page 3

... Zweig / per arm W/m W/m*K Paste grease Schraube / screw M6 terminals M6 3/9 min. typ. max 10,5 K/kW thJC - - 42,0 K/ 17,5 K/ 70,0 K/ 8,0 - K/kW thCK - 32 150 °C vj max T -40 - 125 ° -40 - 125 °C stg AlSiC AlN > 400 M1 4,25 5, 1500 g F4-400R12KS4 B2_V3.xls 2001-11-29 ...

Page 4

... Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 800 VGE = 8V 700 VGE = 9V VGE = 10V 600 VGE = 12V VGE = 15V 500 VGE = 20V 400 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 F4-400R12KS4 15V GE 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 V [V] CE 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 V [ 4,5 5,0 5,5 6 125°C vj 4,5 5,0 5,5 6,0 F4-400R12KS4 B2_V3.xls 2001-11-29 ...

Page 5

... Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch 800 Tj = 25°C 700 Tj = 125°C 600 500 400 300 200 100 0 0,0 0,2 0,4 0,6 F4-400R12KS4 [ 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 V [ 20V 2,0 2,2 2,4 2,6 F4-400R12KS4 B2_V3.xls 2001-11-29 ...

Page 6

... F4-400R12KS4 off = 2 G,on G,off CE 300 400 500 I [ off [ rec C = 600V 125°C j 600 700 800 = rec F4-400R12KS4 B2_V3.xls 2001-11-29 ...

Page 7

... IGBT-Modules Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA) Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA) 900 800 700 IC,Modul IC,Chip 600 500 400 300 200 100 0 0 200 400 F4-400R12KS4 B2 600 800 1000 V [V] CE 7 125°C G,off vj 1200 1400 F4-400R12KS4 B2_V3.xls 2001-11-29 ...

Page 8

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 Zth:IGBT Zth:Diode 0,01 0,001 0,001 0, [K/kW] : IGBT i t [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i t [sec] : Diode i F4-400R12KS4 B2 0,1 t [sec 4,03 19,86 0,0030 0,0500 6,90 37,51 0,0030 0,0450 8 (t) thJC 8,40 9,71 0,1000 0,9500 12,81 12,79 0,4500 0,7500 F4-400R12KS4 B2_V3.xls 2001-11-29 ...

Page 9

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram screwing depth max. 16 31,5 2,8x0,5 5,5 26,4 IH5 F4-400R12KS4 B2 61 130 114 3x5=15 9/9 4 deep F4-400R12KS4 B2_V3.xls 2001-11-29 ...

Page 10

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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