PDTC123JT Philips Semiconductors, PDTC123JT Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: PDTC123JT
• Description: NPN resistor-equipped transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
1999 May 18
handbook, halfpage
handbook, halfpage
NPN resistor-equipped transistor
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
V i(off)
CE
CE
(V)
h FE
10
10
10
= 5 V.
= 5 V.
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
1
3
2
10
1
1
10
= 150 C.
= 25 C.
= 40 C.
= 40 C.
= 25 C.
= 100 C.
1
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Input-off voltage as a function of collector
current; typical values.
2
(1)
(2)
(3)
10
1
1
10
1
(2)
I C (mA)
I C (mA)
(1)
(3)
MGM912
MGM914
10
10
2
4
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V CEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
V i(on)
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.6
C
(mV)
CE
(V)
/I
B
10
10
10
10
= 0.3 V.
= 20.
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
1
10
3
2
10
2
1
= 100 C.
= 25 C.
= 40 C.
= 40 C.
= 25 C.
= 100 C.
1
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Input-on voltage as a function of collector
current; typical values.
1
1
1
(1) (2) (3)
(1) (2) (3)
10
10
PDTC123JT
Product specification
I C (mA)
I C (mA)
MGM911
MGM913
10
10
2
2