2SK3492 Sanyo Semicon Device, 2SK3492 Datasheet

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2SK3492

Manufacturer Part Number
2SK3492
Description
N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTORl
Manufacturer
Sanyo Semicon Device
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
2SK3492-TL-E
Manufacturer:
SANYO/三洋
Quantity:
20 000
注文コード No. N 0 0 0 0
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
特長
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
外形図 2083B
(unit : mm)
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途 (生命維持装置、 航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途) に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
2SK3492
0.85
0.6
0.7
2.3
1
6.5
5.0
2
4
3
2.3
V DSS
V GSS
I D
I DP
P D
Tch
Tstg
V (BR)DSS I D =1mA, V GS =0
I DSS
I GSS
V GS (off)
2.3
y
fs
0.5
1.2
0.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
Tc=25℃
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
V DS =60V, V GS =0
V GS = ± 16V, V DS =0
V DS =10V, I D =1mA
V DS =10V, I D =4A
2SK3492
外形図 2092B
(unit : mm)
0.85
0.6
2.3
1
2
6.5
5.0
4
3
2.3
70103PA TS IM ◎秋庭
− 55 ∼+ 150
min
1.2
60
0.5
3
1.2
0∼0.2
2.3
± 20
150
typ
0.5
60
32
15
8
1
5
次ページへ続く。
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
No.0000-1/2
unit
No.
± 10
W
W
V
V
A
A
max
2.6
1
70103
N 0 0 0 0
unit
µA
µA
V
V
S

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2SK3492 Summary of contents

Page 1

... N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ...

Page 2

... Qg Qgs V DS =30V =10V =8A Qgd =8A = =7.5Ω V OUT 2SK3492 S min typ max unit 115 150 mΩ 155 220 mΩ 300 ...

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