CPH3338 Sanyo Semicon Device, CPH3338 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: CPH3338
• Description: P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
• Manufacturer: Sanyo Semicon Device

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Package Dimensions
unit : mm
2152A
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
1
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0
0
3
I D = --1A
2.9
1.9
--0.1
--2
2
Parameter
0.4
--0.2
--4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--2A
--0.3
--6
R DS (on) -- V GS
--0.4
I D -- V DS
--8
0.15
--0.5
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
--10
--0.6
--12
0.05
Symbol
V SD
Qgs
Qgd
Qg
--0.7
--14
V GS = --2.5V
--0.8
--16
Ta=25 C
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =--3.5A
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =--3.5A
V DS =--10V, V GS =- -10V, I D =--3.5A
I S =--3.5A, V GS =0
--0.9
--18
IT08948
IT08950
CPH3338
--1.0
--20
Conditions
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
200
150
100
50
Switching Time Test Circuit
0
0
--60
--10V
P.G
0
0V
PW=10 s
D.C. 1%
--40
V IN
--20
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
--1
V IN
0
min
50
G
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
40
V DD = --15V
Ratings
--2
D
typ
--0.86
60
2.04
2.64
11.7
S
I D = --2A
R L =7.5
80
CPH3338
max
100
V OUT
--3
--1.2
V DS = --10V
120
No.8174-2/4
140
IT08949
IT08951
Unit
nC
nC
nC
V
160
--4