MCP79410 Microchip Technology Inc., MCP79410 Datasheet - Page 16

• Manufacturer Part Number: MCP79410
• Manufacturer: Microchip Technology Inc.

MCP7941X
5.0
MCP7941X 同时具有片上 EEPROM 存储器和后备电池
供电的 SRAM。 SRAM 采用 64 x 8 字节的方式组织， 当
V
5.1
图 5-1：
图 5-2：
64 字节的用户 SRAM 位于单元 0x20 处，在 RTCC 更
新期间可以对它进行访问。发生 POR 时， SRAM 处于
未定义状态。
对 SRAM 和 RTCC 的写操作使用与 EEPROM 写操作类
似的方式实现 （本文稍后将会介绍） ，但需要注意以下
方面：
• 不存在页。SRAM 的全部 64 字节或 RTCC 寄存器
• SRAM 支持无限次数的读 / 写， 不会发生单元损坏。
• 在器件使用外部 V
• RTCC 和 SRAM 是独立的块。 在 RTCC 更新期间，
• 读写访问仅限于 RTCC 寄存器块或 SRAM 阵列。
• 数据按字节写入 RTCC 和 SRAM。
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CC
的全部 32 字节可以通过一条命令来写入。
可访问。
可以访问 SRAM 阵列。
地址指针会计满返回到所寻址块的起始地址处。
电源断电时，如果存在并使能 V
片上存储器
SRAM
总线活动
主器件
SDA 线
总线活动
BAT
SRAM/RTCC 字节写操作
SRAM/RTCC 多字节写操作
总线活动
主器件
SDA 线
总线活动
运行时，RTCC 和 SRAM 不
启动
S 1 1 0 1
控制字节
BAT
1 1 1
启动
，其内容会被
S 1 1 0 1
0
A
C
K
控制字节
x
地址字节
1 1 1
初稿
0
A
C
K
x
A
C
K
保 留。 EEPROM 采 用 128 x 8 字 节的 方 式 组 织。
EEPROM 是非易失性存储器， 不需要 V
保留数据。
地址字节
注：
数据字节 0
对于 SRAM 操作， 如果输入的地址超出 5F，
MCP7941X 将不会应答该地址。
A
C
K
A
C
K
数据
© 2010 Microchip Technology Inc.
数据字节 N
A
C
K
停止
P
BAT
A
C
K
停止
P
电源就可以