PBSS304NZ Philips Semiconductors, PBSS304NZ Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: PBSS304NZ
• Description: NPN low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
PBSS304NZ_1
Product data sheet
Fig 5. DC current gain as a function of collector
Fig 7. Base-emitter voltage as a function of collector
(1) T
(2) T
(3) T
V
(1) T
(2) T
(3) T
h
(V)
1000
FE
BE
800
600
400
200
1.2
0.8
0.4
0
0
10
10
V
current; typical values
V
current; typical values
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
CE
1
1
= 2 V
= 2 V
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 55 C
= 25 C
= 100 C
1
1
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
10
10
10
10
2
2
10
10
006aaa605
006aaa606
3
3
I
I
C
C
(mA)
(mA)
Rev. 01 — 18 September 2006
10
10
4
4
Fig 6. Collector current as a function of
Fig 8. Base-emitter saturation voltage as a function of
V
(1) T
(2) T
(3) T
BEsat
(A)
(V)
I
C
1.2
0.8
0.4
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
T
collector-emitter voltage; typical values
I
collector current; typical values
C
0
60 V, 5.2 A NPN low V
amb
amb
amb
amb
/I
1
B
= 20
= 25 C
= 55 C
= 25 C
= 100 C
1
1
(1)
(2)
(3)
10
2
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
PBSS304NZ
10
3
2
CEsat
I
B
(mA) = 250
10
(BISS) transistor
4
006aaa611
006aaa609
3
225
175
125
V
I
75
C
CE
(mA)
200
150
(V)
100
50
25
10
5
4
7 of 14