PBSS305PD Philips Semiconductors, PBSS305PD Datasheet - Page 8

• Manufacturer Part Number: PBSS305PD
• Description: 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
PBSS305PD_1
Product data sheet
Fig 6. DC current gain as a function of collector
Fig 8. Base-emitter voltage as a function of collector
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
h
V
(V)
FE
BE
600
400
200
1.2
0.8
0.4
0
0
V
current; typical values
V
current; typical values
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
CE
1
1
= 2 V
= 2 V
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 55 C
= 25 C
= 100 C
1
1
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
10
10
10
10
2
2
10
10
006aaa743
006aaa745
3
I
3
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
Rev. 01 — 30 May 2006
4
4
Fig 7. Collector current as a function of
Fig 9. Base-emitter saturation voltage as a function of
V
(1) T
(2) T
(3) T
BEsat
(V)
(A)
I
C
1.2
0.8
0.4
6
4
2
0
0
T
collector-emitter voltage; typical values
10
I
collector current; typical values
C
0
amb
amb
amb
amb
/I
I
100 V, 2 A PNP low V
B
1
B
= 750 mA
= 20
675
600
525
450
375
300
= 25 C
= 55 C
= 25 C
= 100 C
0.4
1
(1)
(2)
(3)
0.8
10
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
PBSS305PD
10
1.2
2
CEsat
10
(BISS) transistor
1.6
006aaa744
006aaa746
225
150
www.DataSheet4U.com
V
3
I
75
C
CE
(mA)
(V)
10
2.0
4
8 of 15