PBSS5220V Philips Semiconductors, PBSS5220V Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PBSS5220V
• Description: 2A PNP low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
9397 750 14936
Product data sheet
Fig 3. DC current gain as a function of collector
Fig 5. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
h
CEsat
(V)
1000
10
10
10
FE
800
600
400
200
0
1
1
2
3
V
current; typical values
I
function of collector current; typical values
10
10
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
B
1
1
= 2 V
= 20
= 100 C
= 25 C
= 55 C
= 100 C
= 25 C
= 55 C
1
1
(1)
(2)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
2
2
10
10
006aaa426
006aaa428
3
I
3
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
Rev. 01 — 13 June 2005
4
4
Fig 4. Base-emitter voltage as a function of collector
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
V
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) I
(2) I
(3) I
CEsat
(V)
(V)
10
10
10
BE
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1
1
2
3
V
current; typical values
10
T
function of collector current; typical values
10
C
C
C
amb
amb
amb
amb
CE
/I
/I
/I
1
B
B
B
1
20 V, 2 A PNP low V
= 5 V
= 100
= 50
= 10
= 55 C
= 25 C
= 100 C
= 25 C
1
1
(1)
(2)
(3)
10
10
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
10
10
PBSS5220V
(1)
(2)
(3)
2
2
CEsat
10
10
(BISS) transistor
006aaa427
006aaa429
3
3
I
I
www.DataSheet4U.com
C
C
(mA)
(mA)
10
10
4
4
6 of 13