sch2809 Sanyo Semiconductor Corporation, sch2809 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: sch2809
• Description: Mosfet P-channel Silicon Mosfet Sbd Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
100
1.0
0.1
0.8
0.6
0.4
0.2
10
--0.01
--0.1
0
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
0
V DD = -- 6V
V GS = --4.5 V
V DS = -- 6V
I D = --1.2 A
20
2
0.5
3
2
Ambient Temperature, Ta -- C
40
Total Gate Charge, Qg -- nC
5
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
1.0
3
SW Time -- I D
7 --0.1
60
V GS -- Qg
P D -- Ta
y
fs -- I D
5
1.5
80
t d (on)
2
7
3
100
--1.0
2.0
5
120
7 --1.0
V DS = --6V
[ MOSFET ]
[ MOSFET ]
[ MOSFET ]
[ MOSFET ]
2.5
140
2
IT04357
IT04359
IT04361
IT11234
2
3.0
160
SCH2809
3
3
--0.01
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
100
10
--0.01
5
3
2
7
5
3
2
--0.4
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
Ta=25 C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
2 3
Ciss, Coss, Crss -- V DS
--2
--0.6
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
5 7
Operation in this
area is limited by R DS (on).
--0.1
--4
2 3
--0.8
I S -- V SD
A S O
5 7
--6
--1.0
--1.0
2
--8
0.8mm) 1unit
2 3
--1.2
5 7 --10
No. A0446-4/6
[ MOSFET ]
[ MOSFET ]
[MOSFET]
--10
V GS =0V
f=1MHz
10 s
IT04358
IT04360
IT11233
2 3
--1.4
--12