mt3s111p TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, mt3s111p Datasheet
mt3s111p
Manufacturer Part Number
mt3s111p
Description
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Manufacturer
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
1.MT3S111P.pdf
(5 pages)
○ VHF～UHF 帯 低雑音・低歪み増幅用
特 長
•
•
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絶対最大定格
注 1: 16 mm×16 mm×0.8 mm (t) のセラミック基板実装時
雑音特性が優れています。:NF=0.95 dB (標準) (@ f=1 GHz)
高利得です。:|S
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 電 圧
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 電 圧
エ ミ ッ タ ・ ベ ー ス 間 電 圧
コ
ベ
コ
コ
接
保
注:
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電流/
高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および個
別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
レ
レ
レ
R 5
ー
合
存
項
ク
ク
ク
東芝トランジスタ シリコンゲルマニウムNPNエピタキシャルプレーナ形
(Ta = 25°C)
ス
21e
タ
タ
タ
|
2
=10.5 dB (標準) (@ f=1 GHz)
目
温
温
電
電
損
損
流
失
失
流
度
度
記 号
V
P
V
V
T
P
C
CEO
EBO
MT3S111P
CES
I
I
T
stg
C
B
C
注 1
j
−55～150
定
100
300
150
0.6
13
10
6
1
1
格
単位
mW
mA
mA
°C
°C
W
V
V
V
質量: 0.05 g (標準)
JEDEC
JEITA
東芝
PW-Mini
2-5K1A
SC-62
MT3S111P
－
2009-03-31
単位: mm
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Image
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Description
Manufacturer
Datasheet
Request
R
Part Number:
Description:
3 Watt Dc/dc Converter, Single & Multiple Outputs Power Modules
Manufacturer:
Volgen Kaga Electronics Inc.
Datasheet:
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Description:
3 WATT DC/DC CONVERTER, SIINGLE & MULTIIPLE OUTPUTS
Manufacturer:
VOLGEN [Volgen Kaga Electronics Inc.]
Datasheet:
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [SILICON N CHANNEL 1GBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
Toshiba Semiconductor [Power Module]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
mt3s111p Summary of contents
Page 1
... CES V 6 CEO V 0.6 EBO 流 I 100 流 300 失 C 注 失 150 度 j −55～150 T 度 stg 1 PW-Mini JEDEC JEITA SC-62 2-5K1A 東芝 質量: 0.05 g (標準 °C °C MT3S111P 単位: mm － 2009-03-31 ...
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... E hFE =30 mA 率 f=1 MHz 量 f=1 MHz (注 2) 量 MT3S111P 最小 標準 最大 単位 ⎯ GHz ⎯ ⎯ ⎯ 8.5 10.5 dB ⎯ ⎯ 0.7 dB ⎯ 0.95 1.25 dB ⎯ ...
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... CE 2 1GHz 2.0 1.5 1.0 0 500MHz 0.0 100 1 3 MT3S111P 0.2 0.4 0.6 0 100 コレクタ電流 I (mA) C NF-I C VCE=5V Ta=25°C 10 100 コレクタ電流 I ...
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... Ta(℃) 40 IE=0 VCE=5V f=1MHz f1=500MHz 35 Ta=25°C f2=501MHz 30 Pin=-15dBmW Ta=25° (V) CB 125 150 4 MT3S111P OIP - 100 コレクタ電流 I (mA) C 2009-03-31 ...
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... MT3S111P 2009-03-31 ...