mc33502 ON Semiconductor, mc33502 Datasheet - Page 5
![no-image](/images/manufacturer_photos/0/4/495/on_semiconductor_sml.jpg)
mc33502
Manufacturer Part Number
mc33502
Description
1 V, Rail-to-rail, Dual Operational Amplifier
Manufacturer
ON Semiconductor
Datasheet
1.MC33502.pdf
(15 pages)
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
mc33502D
Manufacturer:
ON Semiconductor
Quantity:
1
Part Number:
mc33502D
Manufacturer:
MOTOROLA/摩托罗拉
Quantity:
20 000
Part Number:
mc33502DG
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Company:
Part Number:
mc33502DR2G
Manufacturer:
INTEL
Quantity:
1 569
Part Number:
mc33502DR2G
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Part Number:
mc33502P
Manufacturer:
MOTOROLA/摩托罗拉
Quantity:
20 000
Company:
Part Number:
mc33502PG
Manufacturer:
ON
Quantity:
9 282
Part Number:
mc33502PG
Manufacturer:
ON/安森美
Quantity:
20 000
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á Á
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Slew Rate (V
Gain Bandwidth Product (f = 100 kHz)
Gain Margin (R
Phase Margin (R
Channel Separation (f = 1.0 Hz to 20 kHz, R
Power Bandwidth (V
Total Harmonic Distortion (V
Differential Input Resistance (V
Differential Input Capacitance (V
Equivalent Input Noise Voltage (V
Positive Slope
Negative Slope
V
V
V
f = 1.0 kHz
f = 10 kHz
R
f = 1.0 kHz
CC
CC
CC
S
= 100 W)
= 0.5 V, V
= 1.5 V, V
= 2.5 V, V
S
IN−
= ±2.5 V, V
L
EE
EE
EE
=10 kW, C
L
V
= 10 kW, C
= −0.5 V
= −1.5 V
= −2.5 V
CC
O
= 4.0 V
O
L
Characteristic
= −2.0 to 2.0 V, R
O
= 0 pF)
Voltage
L
pp
Offset
= 4.5 V
Trim
= 0 pF)
CM
, R
CM
CC
L
= 0 V)
= 0 V)
= 1.0 kW, THD ≤1.0%)
= 1.0 V, V
pp
, R
V
CC
L
Figure 2. Representative Block Diagram
= 600 W, A
L
(V
L
= 600 W)
CM
IN+
= 2.0 kW, A
CC
= 0 V, V
= 5.0 V, V
V
= 1.0)
http://onsemi.com
EE
V
= 1.0)
EE
= Gnd,
MC33502
= 0 V, V
Saturation
5
Detector
Voltage
Output
CM
Body
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Bias
= V
Symbol
GBW
BW
THD
O
Am
SR
CS
R
C
φ
e
= V
m
in
in
n
P
CC
V
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
CC
/2, T
A
Min
2.0
2.0
3.0
3.5
4.0
= 25°C, unless otherwise noted.)
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Clamp
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
V
CC
0.004
>1.0
0.01
Typ
120
200
3.0
3.0
4.0
4.5
5.0
6.5
2.0
60
30
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á Á Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Á Á Á
Max
6.0
6.0
6.0
7.0
8.0
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Out
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
nV/√Hz
terraW
Unit
V/ms
MHz
Deg
kHz
dB
dB
pF
%