2sa1968ls Sanyo Semiconductor Corporation, 2sa1968ls Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: 2sa1968ls
• Description: Pnp Triple Diffused Planar Silicon Transistor
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

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DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Transient Thermal Resistance
--1.0
--0.1
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
--10
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
7
--0.1
Base-to-Emitter ON Voltage, V BE (ON) -- V
--0.2
Parameter
Collector-to-Emitter Voltage, V CE -- V
2
--2
3
Collector Current, I C -- mA
--0.4
5
I C -- V BE (ON)
V CE (sat) -- I C
I C -- V CE
7
--4
--0.6
--1.0
--0.8
2
--6
3
V (BR)CBO
V (BR)CEO
V (BR)EBO
V CE (sat)
V BE (sat)
Symbol
Rth(j-c)
h FE
Cob
--1.0
5
f T
7
--8
V CE = --5V
--10
I C / I B =5
--1.2
V CE =--5V, I C =--1mA
V CE =--10V, I C =--1mA
V CB =--100V, f=1MHz
I C =--500 A, I B =--100 A
I C =--500 A, I B =--100 A
I C =--100 A, I E =0
I C =--1mA, R BE =
I E =--100 A, I C =0
junction-case
IT03904
IT03906
IT03908
2
2SA1968LS
--1.4
--10
3
Conditions
--1.0
--0.1
100
--10
10
--8
--6
--4
--2
3
2
7
5
3
2
0
7
5
3
2
7
5
3
2
0
7
7
--0.1
--0.1
Collector-to-Emitter Voltage, V CE -- V
2
2
--2
3
Collector Current, I C -- mA
Collector Current, I C -- mA
3
V BE (sat) -- I C
5
5
min
--900
--900
I C -- V CE
h FE -- I C
--4
7
7
--7
20
--1.0
--1.0
Ratings
typ
2.2
--6
2
2
6
3
3
max
5
5
--1.5
50
8.3
--8
V CE = --5V
--1
7
7
I C / I B =5
--10
No.5183-2/3
--10
IT03905
IT03907
IT03909
˚C / W
MHz
Unit
pF
V
V
V
V
V
--10
2
2