ech8661 Sanyo Semiconductor Corporation, ech8661 Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: ech8661
• Description: N-channel And P-channel Silicon Mosfets
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

100
--10
200
180
160
140
120
100
1.0
0.1
10
10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
--0.01
0
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
--0.1
0
7
7
0
0
V DS = --10V
I D = --5.5A
1
2
--2
2
2
3
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
3
--2.5A
3
--4
5 7
Total Gate Charge, Qg -- nC
I D = --1.5A
5
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
4
--0.1
SW Time -- I D
--6
7
V GS -- Qg
|
5
y
--1.0
fs | -- I D
2
6
t f
--8
3
7
2
5 7
--10
8
3
--1.0
9
--12
5
10
V DD = --15V
V GS = --10V
V DS = --10V
7
2
Ta=25°C
11
--10
--14
3
IT15727
IT14859
IT15733
IT14861
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
12
5 7
ECH8661
--16
13
2
--0.001
--0.01
--0.01
--100
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
--10
100
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
--0.2
--0.1
--60
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
2
7
5
3
2
7
5
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
Ta=25° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(900mm
I DP = --40A ( PW≤10μs )
I D = --5.5A
Operation in this
area is limited by R DS (on).
--40 --20
2
--5
2
--0.4
3
×0.8mm) 1unit
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
5
0
7 --1.0
--10
R DS (on) -- Ta
20
--0.6
I S -- V SD
A S O
40
--15
2
60
3
--0.8
80
5
--20
7 --10
100
No. A1777-5/6
--1.0
120
--25
V GS =0V
f=1MHz
2
140
IT15728
IT14860
IT14862
IT15729
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
3
--1.2
160
--30
5